STMicroelectronics und Globalfoundries kooperieren bei 20-nm-FD-SOI-Technik
Schon 2013 soll die Fertigung von Hableiterbauelementen mit 20-Nanometer-Strukturen auf Fully-Depleted-SOI-Wafern bei Globalfoundries anlaufen; ST nutzt FD-SOI bereits für den 28-nm-Node.
Der größte europäische Chiphersteller STMicroeletcronics sichert sich zusätzliche Fertigungskapazität für die 20-Nanometer-Generation beim Auftragsfertiger Globalfoundries. Dabei darf Globalfoundries dann auch Fertigungsaufträge anderer Firmen für die von ST entwickelte 28- und 20-nm-Prozesstechnik auf Fully-Depleted-(FD-)SOI-Wafern annehmen. Diese FD-SOI-Variante von ST ist für planare Transistoren gedacht und wird etwa für die eigenen ARM-SoCs der Baureihe Novathor verwendet.
Im Juli will ST Chip-Prototypen mit 28-nm-Technik auf FD-SOI-Wafern fertigen, im dritten Quartal 2013 soll dann die 20-nm-Version für Versuche bereitstehen. Dazwischen will ST noch einen 20-nm-Prozess für die billigeren Bulk-Silicon-Wafer einschieben.
(Bild: STMicroelectronics)
Kürzlich hatte auch ein ARM-Manager die Erwartung geäußert, dass erste ARM-SoCs mit 20-nm-Strukturen Ende 2013 erscheinen könnten. Andererseits betont Globalfoundries, dass die 28-nm-Technik, die bisher mit Kapazitätsengpässen kämpft, besonders lange genutzt werden wird. Somit wird eine Koexistenz der 28- und 20-nm-Fertigungsverfahren erwartet. Das liegt auch daran, dass zumindest Konkurrent TSMC nur eine einzige Version seines 20-nm-Prozesses plant, also keine separaten Low-Voltage-(LP-) oder High-Performance-(HP-)Varianten für besonders sparsame oder besonders schnelle Bauelemente. Deshalb ist aus heutiger Sicht nicht ganz klar, für welche Typen von Schaltungen sich die 20-nm-Technik gut eignet.
Globalfoundries hatte kürzlich mehrere Erweiterungen der eigenen 20-nm-Technik angekündigt. So will man in der Fab 8 in New York Anlagen für Through-Silicon Vias installieren. Diese TSV-Technik ist für Chip-Stapel wichtig, sogenannte 3D-ICs. Außerdem validiert Globalfoundries Double-Patterning-Parameter für die Entwicklungswerkzeuge Synopsys Galaxy und Cadence Encounter. Schließlich hat Globalfoundries in Kooperation mit ARM Testchips mit Cortex-A9-Kernen in 28-nm-Technik fertiggestellt und arbeitet an 20-nm-Versionen. Entwickler von Systems-on-Chip (SoCs) können auf diese Erfahrungen aufbauen, um schneller zum Ziel zu kommen, wenn sie bei Globalfoundries fertigen lassen.
Unterdessen hat Samsung bekanntgegeben, rund 1,54 Milliarden Euro in den Aufbau einer neuen Chip-Fertigungslinie für 300-mm-Wafer zu investieren. Im südkoreanischen Werk in Hwaseong soll damit bis Ende 2013 die Fertigungskapazität für Logik-ICs, vor allem Applikationsprozessoren wie die Exynos-Familie, wachsen. Auch Samsung will 20-nm- und später 14-nm-Technik einsetzen und hat in diesem Jahr in Hwaseong bereits zwei andere Fertigungslinien auf die Produktion von Logik-Chips umgestellt. Zusätzliche NAND-Flash-Kapazität will der DRAM- und Flash-Marktführer derweil im chinesischen Xi'an schaffen. (ciw)
