Zweitgrößter DRAM-Hersteller der Welt bekommt 6,2 Milliarden US-Dollar
Micron bringt seine Speicherproduktion zurück in die USA. Die Regierung macht dafür Milliarden von Subventionen locker.
(Bild: Micron)
Im April 2024 war es noch eine vorläufige Absichtserklärung, jetzt ist es fix: Der Speicherhersteller Micron erhält im Rahmen des US Chips Acts 6,165 Milliarden US-Dollar, die in den Bau von mehreren US-amerikanischen Halbleiterwerken für DRAM-Chips fließen. DRAM-Bausteine landen unter anderem auf Arbeitsspeicher-Riegeln, Grafikkarten und KI-Beschleunigern.
Micron ist mit einem Weltmarktanteil von etwa 20 Prozent der drittgrößte DRAM-Hersteller nach den südkoreanischen Konkurrenten Samsung und SK Hynix – danach kommen mit weitem Abstand nur kleine Firmen. Obwohl Micron seinen Hauptsitz in den USA hat, produziert die Firma derzeit fast sämtlichen Speicher in Asien.
Zunächst drei Halbleiterwerke für 50 Milliarden
In Boise, Idaho, betreibt Micron ein modernes Entwicklungscenter mit vergleichsweise kleiner Fertigung. In Manassas, Virginia, entstehen Bausteine mit gröberer Belichtungstechnik. Das moderne Halbleiterwerk in Lehi, Utah, welches ursprünglich zusammen mit Intel für die Produktion des Phasenwechselspeichers 3D-Xpoint (Optane) entstand, gehört seit 2021 Texas Instruments (TI).
Micron will zum einen das Entwicklungszentrum in Boise um ein großes Halbleiterwerk erweitern und zum anderen zwei Werke im US-Bundesstaat New York bauen. Die Projekte lässt sich Micron bis 2030 rund 50 Milliarden US-Dollar kosten. Darin sind die knapp 6,2 Milliarden US-Dollar Direktförderung enthalten, die das US-Handelsministerium (Department of Commerce) jetzt final freigegeben hat. Zudem stehen erhebliche Steuererleichterungen im Raum – Micron spricht von bis zu 5,5 Milliarden US-Dollar über die gesamte Lebensdauer des Projekts allein vom Bundesstaat New York. Noch weiter in die Ferne sollen die Investitionen auf insgesamt 125 Milliarden US-Dollar steigen.
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Der Bau begann ursprünglich 2022. Die Serienproduktion soll an den verschiedenen Standorten nach und nach zwischen Ende 2026 und 2029 anlaufen.
Laut dem Department of Commerce entstehen in den USA derzeit weniger als zwei Prozent der weltweiten modernen DRAM-Chips ("Advanced DRAM"). Bis 2035 will die Regierung den Anteil auf zehn Prozent erhöhen. Dabei geht es auch um komplexes High-Bandwidth Memory (HBM) für KI-Beschleuniger.
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