Hynix und HP entwickeln Memristor-Speicherchips

Mit der erst seit wenigen Jahren verstandenen Memristor-Technik tritt HP gegen die bisher zur Fertigung von nichtflüchtigen Speicherchips eingesetzten Verfahren an: Gemeinsam mit dem weltweit zweitgrößten DRAM-Hersteller Hynix, der aber auch NAND-Flash-Bauelemente produziert, werden nun Serienprodukte entwickelt.

HP Senior Fellow Stan Williams, der die Memristor-Forschung vorantreibt, hält einen Zeitrahmen von drei Jahren für einhaltbar. Ob man mit den ersten Memristor-Produkten eher gegen NAND- oder gegen NOR-Flashes antrete, sei zwar noch offen, sagte er im Gespräch mit heise online. Aber er sieht sein Team weit in Führung vor Konkurrenten wie Fujitsu, Matsushita oder 4DS, die ebenfalls an RRAM- oder ReRAM-Speicher arbeiten, denn diese hätten die eigentliche Funktionsweise des Memristors nicht korrekt modelliert und kämen deshalb nicht gut voran. Den Zeitraum von drei Jahren bis zum Erscheinen erster Memristor-Chips hatte Stan Williams aber bereits vor rund einem halben Jahr genannt.

Unter anderem wegen der Möglichkeit, mehrere Lagen von Memristor-ReRAM auf einem einzigen Silizium-Die zu realisieren, könne der neue Speichertyp NAND- oder NOR-Flash rasch übertrumpfen, so Williams. Von den technischen Eigenschaften der einzelnen Speicherzellen her sollen Memristoren den Flash-Ladungsfallen ohnehin weit überlegen sein: Memristoren sind schneller und halten praktisch unbegrenzt viele Schreibzyklen aus, sodass sie später auch DRAM ablösen könnten.

Das Beispiel des vor mehr als einer Dekade mit den gleichen Erwartungen angetretenen MRAM zeigt aber, dass die Praxis noch tückische Überraschungen bereithält. Mit (unter anderem) PRAM/PCRAM, Racetrack- oder Nanodraht-Speicher werden zurzeit zahlreiche neuartige Verfahren für nichtflüchtige Speicherchips erforscht, PRAM wird bereits von Micron und Samsung produziert, MRAM unter anderem von Everspin.

Siehe dazu auch:

• Der neue Nanospeicher in Technology Review

(ciw)