Globalfoundries und IBM starten Chip-Produktion in New York "gemeinsam"
In ihren jeweiligen Halbleiter-Fabs im US-Bundesstaat New York fahren die Kooperationspartner die Fertigung von 32-Nanometer-Bauelementen hoch.
(Bild: Globalfoundries)
Gleichzeitig beginnen die Kooperationspartner IBM und Globalfoundries in ihren Chip-Fabs in East Fishkill (IBM) und Fab 8 bei Malta/New York mit der Fertigung von Halbleiterbauelementen mit 32-Nanometer-Strukturen. Dabei kommt die gemeinsam sowie mit den anderen IBM-Alliance-Partnern wie Samsung entwickelte Technik für Silicon-on-Insulator-(SOI-)Wafer mit HKMG und Gate-First-Verfahren zum Einsatz.
Wie Globalfoundries in einem Blog-Eintrag präzisiert, soll die Massenfertigung dieser ersten Chips mit "32/28-nm-Technik" allerdings erst im zweiten Halbjahr 2012 anlaufen. In der Fab 1 in Dresden läuft dieser Fertigungsprozess schon seit dem vergangenen Jahr.
Am Standort East Fishkill fertigt IBM eigene Produkte, aber auch Bauelemente für andere Auftraggeber. Der High-End-Serverprozessor Power7 von IBM ist zurzeit noch in einer 45-nm-Version auf dem Markt, nach älteren Roadmaps (PDF-Datei) wollte IBM den 32-nm-"Shrink" Power7+ Ende 2011/Anfang 2012 einführen. (ciw)
