Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie wird ausgebaut
Da für neue Projekte der Platz fehle, soll das Institut in Itzehoe um 2000 Quadratmeter größer werden und damit doppelt so groß werden wie bisher. Die Mitarbeiterzahl soll um 200 steigen.
Mit Investitionen von 45 Millionen Euro will das Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie (ISIT) in Itzehoe zu den bisher 150 rund 200 weitere Arbeitsplätze schaffen. Das Institut solle auch um 2000 Quadratmeter größer werden und so fast doppelt so groß werden wie bisher, berichtete Schleswig-Holsteins Wirtschaftsminister Dietrich Austermann (CDU) heute in Itzehoe. Damit werde auf die weltweit wachsende Nachfrage nach Spitzentechnologie im Bereich der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnologie reagiert.
"Das ISIT besitzt Deutschlands größte Kapazität und Kompetenz in der Forschung und Entwicklung der Mikrosystemtechnik und Leistungselektronik", sagte Austermann. Für neue Projekte fehle jedoch der Platz: "Wir können kein einziges Gerät mehr aufstellen", sagte Fraunhofer-Vorstand Professor Ulrich Buller. Daher plane das ISIT einen Neubau mit 1000 Quadratmetern für Büros und Labors sowie weiteren 1000 Quadratmetern für Reinraumfläche. Dort soll es eine staubarme beziehungsweise staubfreie Umgebung geben für Firmen der Mikrobiologie und Medizintechnik, die so geringe Flüssigkeitsmengen handhaben, dass bereits kleinste Staubpartikel störend seien, sagte ISIT-Leiter Wolfgang Windbracke.
Der Neubau soll spätestens 2011 fertig werden. In der Zwischenzeit wird der alte Komplex für rund zehn Millionen Euro modernisiert. Der Standort Itzehoe sei dann für die kommenden 15 Jahre gesichert, sagte Windbracke.
Im Rahmen seiner industriellen Auftragsforschung hat das Fraunhofer-Institut einen Kundenstamm von weltweit mehr als 350 Unternehmen, davon 50 aus Schleswig-Holstein. Das Institut entwickelt gemeinsam mit seinen Kunden Produkte bis zur Marktreife, beispielsweise Mikrofon-Systeme für Handys und Laptops sowie Sensor-Systeme für Kraftfahrzeuge wie Fahrspur- und Fußgängererkennung. (dpa) / (anw)
