SK Hynix fertigt SDRAM-Chip mit 8 Gigabit Kapazität
Als erste DRAM-Version mit 8 Gigabit Fassungsvermögen kündigt der koreanische Hersteller ein LPDDR3-Bauelement für Smartphones und Tablets an. Es ermöglicht Chip-Stapel mit bis zu 4 Gigabyte Kapazität.
Bisher gibt es SDRAM-Chips für den Hauptspeicher von PCs oder Smartphones mit höchstens 4 Gigabit (512 MByte) Kapazität. Jetzt kündigt SK Hynix einen ersten 8-GBit-Chip des Typs LPDDR3-SDRAM an. Solche Low-Power-(LP-)Versionen sind vor allem im Standbymodus namens Self Refresh deutlich sparsamer als normale DDR3-SDRAMs. Deshalb kommen sie vor allem in Tablets und Smartphones zum Einsatz, die mit einer Akkufüllung tage- oder wochenlang im Bereitschaftsmodus laufen müssen.
Aktuelle Smartphones und Tablets haben bis zu 2 GByte Hauptspeicher, der oft als Oberteil eines Package-on-Package-(PoP-)Stapels auf dem Applikationsprozessor sitzt. Es können also nicht mehrere Bauelemente nebeneinander sitzen, sondern nur übereinander. Daher fertigen die DRAM-Hersteller Die-Stacks: 2 GByte entstehen zum Beispiel aus vier 4-GBit-Chips. Der Stapel aus gedünnten Dice kann trotzdem flacher sein als 2 Millimeter.
Mit den neuen 8-GBit-Chips werden 4-GByte-Stacks möglich. Die Taktfrequenzen sollen bis zu 1066 MHz erreichen, das entspricht DDR3-2133. Über 64 Datensignalleitungen, also zwei 32-Bit-Kanäle, sind dann Datentransferraten von rund 17 GByte/s möglich.
8-GBit-Varianten des normalen DDR3-SDRAMs würden die Fertigung ungepufferter Speichermodule (UDIMMs) mit 16 GByte Kapazität erlauben, doch die Speicher-Controller vieler aktueller Prozessoren unterstützen maximal 4-GBit-Chips. Load-Reduced-(LR-)DIMMs könnten künftig 64 GByte statt 32 GByte an Daten fassen, Dual-Rank-RDIMMs 32 statt bisher 16 GByte pro Stück. (ciw)
