Intel baut Fabrik für 300-mm-Wafer
Chipgigant Intel steigt nun auch in die Fabrikation von Wafern mit 300 mm Durchmesser ein.
Chipgigant Intel steigt nun auch in die 300-mm-Liga ein: Für 2 Milliarden US-Dollar soll im US-Bundesstaat Arizona die Fab 22 für Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm entstehen. In Chandler, Arizona, betreibt Intel bereits die Wafer-Fab 12, in der zur Zeit etwa 8500 Angestellte mit der Halbleiterherstellung auf 200-mm-Wafern beschäftigt sind. Die neue 300-mm-Fab soll innerhalb von fünf bis acht Jahren etwa 1000 neuen Arbeitsplätze schaffen. Intel hatte vor einem halben Jahr angekündigt, ab 2002 Chips auf 300-mm-Siliziumscheiben zu produzieren.
Die Fertigung soll auf den 300-mm-Wafern von Anfang an im 0,13-Micron-Prozess erfolgen. Derzeit stellt Intel die neuen Pentium-III-Coppermine-Prozessoren im gröberen 0,18-Mikrometer-Raster her.
Gegenüber 200-mm-Wafern (8 Zoll) bieten die Scheiben mit 12 Zoll Durchmesser etwa 225 Prozent der Fläche. Darauf lassen sich wegen der gleichzeitig besseren Flächennutzung etwa 2,4 mal so viele Chips als bei den kleineren Scheiben unterbringen. Zusätzlich sparen die größeren Wafer pro Stück etwa ein Drittel der Bearbeitungskosten ein. Eine funktionierende 300-mm-Fertigungsanlage arbeitet also deutlich kostengünstiger als die bisherigen 200-mm-Fabs.
Die neue Intel-Fabrik soll eine Fläche von etwa 34000 Quadratmetern haben, davon ist etwa ein Drittel für Reinräume vorgesehen. Die Dresdner Fab 30 des Konkurrenten AMD ist mit 9000 Quadratmetern etwa ein Viertel kleiner. Dort sollen im Endausbau etwa 5000 200-mm-Wafer wöchentlich von den Bändern laufen. AMD fertigt in Dresden Siliziumchips mit bis zu 6 Kupferlagen im 0,18-Mikrometer-Prozess. Erste Produkte aus der 3,2 Milliarden Mark teuren Anlage will AMD im zweiten Quartal dieses Jahres ausliefern.
Fast alle Halbleiterhersteller investieren derzeit gewaltige Summen in neue Fertigungslinien für die größeren Wafer. Ebenfalls in Dresden steht die Musteranlage von Semiconductor300, einem Joint-Venture von Infineon und Motorola. Dort ist man mittlerweile bei Strukturbreiten von weniger als 0,2 Mikrometern angelangt und hat damit erfolgreich 256-MBit-SDRAMs hergestellt. (ciw)
