Intel rüstet chinesische Fab für 3D-Flash auf
Die Fab 68 in Dalian fertigt seit 2010 beispielsweise Chipsätze, soll aber ab 2016 NAND-Flash mit 3D-Strukturen und andere nichtflüchtige Speichertypen produzieren.
Intel-Fab 68 in Dalian
(Bild: Intel)
Intel erwartet offenbar einen weiter stark steigenden Bedarf an nichtflüchtigem Halbleiterspeicher wie NAND-Flash und dem kommenden 3D XPoint: Für umgerechnet rund 5,5 Milliarden US-Dollar soll die Fab 68 im chinesischen Dalian für die Fertigung solcher Speicherchips aufgerüstet werden. Laut einem Blog-Beitrag von Rob Crooke, dem Chef von Intels Non-Volatile Memory Solutions Group, könnte die Produktion von 3D-NAND-Flash in der Fab 68 schon in der zweiten Hälfte 2016 anlaufen.
Crooke kündigte außerdem eine Baureihe von Speichermedien namens Optane an, in denen 3D XPoint stecken soll.
Hohe Investitionen
Der 2007 begonnene Bau der Fab 68 in Dalian hatte für Intel und China große Bedeutung, obwohl das Werk zunächst 90-Nanometer- und heute 65-Nanometer-Bauteile produziert, also keine High-End-Prozessoren. Doch für China ist es wichtig, dass große US-Firmen vor Ort investieren – und für Intel ist der Wachstumsmarkt überlebenswichtig.
Ursprünglich hatte Intel rund 2,5 Milliarden US-Dollar am Standort Dalian investiert. Die jetzt verkündete Aufrüstung der Fab 68 verschlingt mehr als das Doppelte dieser Summe. (ciw)
