HBM2-Speicher: Samsung fährt Produktion von 8-GByte-Stacks hoch

Samsung produziert 8-GByte-Stacks von HBM2 in Masse. Bereits Anfang 2018 sollen sie die Anzahl von eigenproduzierten 4-GByte-HBM2-Stacks überflügeln.

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HBM2-Speicher: Samsung fährt Produktion von 8-GByte-Stacks hoch

(Bild: Samsung)

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Samsung fährt die Produktion von Speichern des Typs High Bandwidth Memory 2 hoch. In ihrer Bekanntmachung dazu bezog sich das südkoreanische Unternehmen auf 8-GByte-Ausführungen, also einzelnen Stacks mit jeweils 8 GByte Kapazität. So will Samsung die erhöhte Nachfrage aus der Industrie bedienen, speziell aus den Bereichen Machine Learning und High Performance Computing. Bis zur ersten Hälfte des Jahres 2018 soll die Fertigung der 8-GByte-Stacks mehr als die Hälfte der gesamten HBM2-Produktion von Samsung ausmachen.

Samsung hat die Serienfertigung von HBM2-Modulen (4-GByte-Stacks) Anfang vergangenen Jahres aufgenommen. Damals hatte Samsung den Start der Serienfertigung im Januar 2016 gemeldet, in der aktuellen Mitteilung spricht das Unternehmen von Juni 2016. Benötigt werden HBM2-Stacks etwa für die Nvidia-Rechenkarten Tesla P100 und Volta V100 (beide 16 GByte HBM2), AMDs Radeon Vega Frontier Edition (16 GByte HBM2) sowie die kommenden Gamer-Grafikkarten der Serie Radeon RX Vega (8 GByte HBM2). Letztere will AMD am 30. Juli vorstellen. Die in Los Angeles stattfindende Präsentation will der Hersteller per Live-Stream ins Netz übertragen.

Bei Grafikkarten mit High Bandwidth Memory 2 sitzen Grafikchip und Speicherchip-Stacks dicht nebeneinander auf einem gemeinsamen Silizium-Interposer, in dem mehrere tausend Leitungspfade verlaufen. Durch die hohe Zahl an Verbindungen können Grafikchips mit HBM2-RAM höhere Datentransferraten erreichen als mit dem bisher gängigen GDDR5-Grafikspeicher. Allerdings hängt es vom Hersteller ab, wie es in der Praxis tatsächlich aussieht: So erreicht die Radeon Vega Frontier Edition mit HBM2 nur 483 GByte/s (2048 Bit), die ältere HBM1-Karte Radeon R9 Fury X schafft mit HBM1 512 GByte/s (4096 Bit). Die Nvidia-Karte Tesla P100 erreicht dagegen 720 GByte/s (HBM2, 4096 Bit), die Tesla V100 dank höherer Speicher-Taktfrequenz 900 GByte/s (HBM2, 4096 Bit). HBM2 ermöglicht theoretisch Transferraten von bis zu 1 TByte/s.

SK Hynix produziert ebenfalls HBM2, allerdings auch GDDR6-Speicherchips. Bis zu 768 GByte/s soll der künftige GDDR6 erreichen, der nach Angaben von SK Hynix bereits Anfang 2018 auf manchen High-End-Grafikkarten zum Einsatz kommen soll. (mfi)