Speicherhersteller SK Hynix kündigt Serienproduktion von DDR5-RAM an

SK Hynix machte im abgelaufenen Geschäftsquartal einen Umsatz von 7,6 Milliarden Euro. Die Firma gab zudem einen Ausblick auf neue Produkte.

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(Bild: SK Hynix)

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Dank steigender Speicherpreise hat SK Hynix zum ersten Mal seit 2018 mehr als 10 Billiarden südkoreanische Won innerhalb eines Quartals umgesetzt. 10,3 Billiarden Won waren es im zweiten Quartal 2021 – nach aktuellem Umrechnungskurs rund 7,6 Milliarden Euro. Unterm Strich blieben knapp 1,5 Milliarden Euro als Gewinn übrig.

In der Mitteilung zu den Geschäftszahlen berichtet SK Hynix von einer unerwartet hohen Speichernachfrage bei Notebooks, Desktop-PCs, Grafikkarten und Endgeräten wie Smartphones. Gleichzeitig erholte sich der Server-Markt in den vergangenen Monaten. Die Lagerbestände sind niedrig, die Preise steigen. Zudem hat der Hersteller weitere Produktionslinien auf moderne Fertigungstechnik umgestellt: SDRAM auf die sogenannte 1z-Nanometer-Klasse (zwischen 10 und 14 nm) und NAND-Flash-Bausteine mit 128 Speicherlagen.

Alle Punkte wirken sich positiv auf den Operativgewinn aus, der sich auf fast 2 Milliarden Euro verdoppelt hat. Die operative Marge stieg von 16 auf 26 Prozent. Ende 2020 lag sie nur bei 12 Prozent, als SDRAM unter anderem in Form von DDR4-Kits noch deutlich günstiger war. Als weltweit zweitgrößter SDRAM-Hersteller werden SK Hynix' Geschäftszahlen maßgeblich vom sogenannten Schweinezyklus beeinflusst, bei dem Angebot und Nachfrage regelmäßig zu fallenden und steigenden Preisen führen.

Im zweiten Halbjahr 2021 erwartet SK Hynix mehr Umsatz. Der Hersteller will in den kommenden Monaten mit der Serienproduktion von DDR5-SDRAM beginnen, etwa für Intels Desktop-Prozessorgeneration Alder Lake-S (Core i-12000). Zudem soll die 1a-Klasse anlaufen, die zum ersten Mal in der Speicherfertigung auf extrem-ultraviolette (EUV-)Belichtungstechnik setzt.

Beim NAND-Flash für SSDs und Smartphones läuft bald die Produktion von Bausteinen mit 176 Speicherlagen an, die drei Bit pro Zelle speichern (Triple Level Cells, TLC) und auf eine Kapazität von 512 GBit kommen.

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