Everspin liefert Muster von Spin-Torque-MRAM
Ein neuer MRAM-Typ mit DRAM-ähnlichem DDR3-Interface könnte etwa als schneller, nichtflüchtiger SSD-Cache zum Einsatz kommen.
(Bild: Everspin)
Die 2008 von Freescale (zuvor Motorola) abgespaltene MRAM-Sparte Everspin liefert nach eigenen Angaben mittlerweile rund 7 Millionen MRAMs pro Quartal. Bei den bisherigen "Toggle"-MRAMs beeinflusst ein Magnetfeld die jeweilige Speicherzelle – diese Programmiertechnik beschränkt Strukturverkleinerung und Geschwindigkeit. Nun kann Everspin Muster eines ersten 64-Megabit-(8-MByte)-MRAMs mit Spin-Torque-(ST-)Technik liefern.
Die neuen ST-MRAMs besitzen ein DRAM-ähnliches Double-Data-Rate-(DDR3-)Interface. Sie sollen deutlich schneller sein als bisherige MRAMs von Everspin, die maximal 50 MHz erreichen und höchstens 16 MBit (2 MByte) speichern. Damit war MRAM bisher nur in Nischenanwendungen attraktiv, etwa als Ersatz für batteriegepuffertes Low-Power-SRAM in Einsatzgebieten mit hohen Temperaturen oder ionisierender Strahlung.
(Bild: MRAM)
Die neuen ST-MRAMs sollen bis in den Gigabit-Kapazitätsbereich vorstoßen, eine konkrete Roadmap veröffentlichen Everspin aber nicht. Laut einer Everspin-Präsentation (PDF-Datei) kostet das Gigabyte MRAM ungefähr das 50-fache wie bei (MLC?-)Flash-Speicher.
Everspin nennt für die neuen ST-MRAMs vor allem drei konkrete Einsatzbereiche: Als Storage-Class Memory (SCM) im Tier 1 mit 400.000 IOPS, anstelle von kondensatorgepuffertem DRAM als nichtflüchtiger SSD-Cache sowie als Pufferspeicher in Netzwerkgeräten.
Muster des EMD3D064M liefert Everspin einzeln sowie als SO-DIMM oder DIMM mit DDR3-1600-Interface. Den Chip gibt es in den Organisationen 16Mx4, 8Mx8 oder 4Mx16. Letzterer überträgt theoretisch bis zu 3,2 GByte an Daten pro Sekunde.
Im Sommer 2011 hatte DRAM- und NAND-Flash-Marktführer Samsung den ST-MRAM-Entwickler Grandis gekauft. Bisher ist aber unbekannt, ob und wann Samsung MRAM-Produkte vorstellen kann. (ciw)