Flash-Speicher: Kooperation von Samsung und SanDisk

SanDisk, der weltgrößte Lieferant nichtflüchtiger Flash-Speichermedien, hat mit der koreanischen Samsung Electronics ein über sieben Jahre laufendes Liefer- und Patentabkommen vereinbart. Damit sind vorausgegangene Patentstreitigkeiten ausgeräumt.

Samsung bringt seine Fertigungskapazität und die NAND-Flash-Technik ein, SanDisk erlaubt Samsung die Nutzung seines Multi-Level-Cell-Verfahrens, das höhere Speicherdichten durch Ablage mehrerer Bits pro Zelle ermöglicht.

SanDisk kooperiert bei der Produktion bereits mit Toshiba, wobei der aktuelle Status der Zusammenarbeit seit dem Vekauf der Dominion-Chipfabrik an Micron etwas unklar ist. Mit Sony hat SanDisk ein Abkommen über MemorySticks und NAND-Speicher.

Kürzlich haben SanDisk, Hitachi, Toshiba, Matsushita (Panasonic) und die Infineon-Tochter Ingentix eine Kooperation für einen Sicherheitsstandard für Flash-Speicherkarten bekannt gegeben.

Erst vor wenigen Tagen hat Samsung den Start der Serienproduktion von 1-GBit-NAND-Flash-Chips in 0,12-µm-Technik angekündigt; diese Bausteine fassen 128 MByte Daten. Mehrere nackte 1-GBit-Dies lassen sich zu Dual-Die-Bausteinen mit einer Kapazität von 2 GBit und sogar zu 4-GBit-Chips in einem einzigen TSOP-Gehäuse zusammenschalten.

Intel bietet schon seit Jahren die StrataFlash-Baureihe mit Multi-Level-Cells, AMD hat vor einigen Wochen die ersten MirrorBit-Flashes vorgestellt.

Trotz der technischen Fortschritte bei den Flash-Chips bestehen bislang aber Engpässe bei der maximalen Speicherkapazität der meisten Flash-Medien; so sind etwa außer CompactFlash-Karten oder USB-Sticks kaum andere Medien mit mehr als 128 MByte Kapazität im Handel zu bekommen. Zurzeit wächst also eher die Typenvielfalt als die Kapazität. (ciw)