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Intel und Micron wollen bis zum Jahresende die Serienproduktion von x3-MLC-NAND-Flash mit 25-Nanometer-Strukturen hochfahren.

Die bei Flash-Speicher kooperierenden Firmen Intel und Micron haben nun auch für die 25-Nanometer-Produktion einen NAND-Flash-Speicherchip fertig entwickelt, der mittels Multi-Level-Cell-(MLC-)Technik nicht nur 2 Bits pro Zelle speichert, sondern 3. Die Partner des Joint Venture IMFlash Technologies [1], die zurzeit in Singapur eine zweite Fab für NAND-Flash-Speicher aufbauen [2], nennen ihre x3-MLC-Technik Triple Level Cell (TLC). Erste Muster der TLC-NAND-Flashes aus der 25-Nanometer-Fertigung haben Intel und Micron bereits an Kunden ausgeliefert. Ein TLC NAND Flash mit 34-nm-Strukturen hatte IMFlash vor einem Jahr [3] angekündigt.

Anders als man erwarten [4] könnte, belegt der 64-GBit-(8-GByte-)TLC-Chip mit 131 Quadratmillimetern nur 22 Prozent weniger Siliziumfläche als das im Februar vorgestellte [5] x2-MLC-Die [6] mit derselben Kapazität – obwohl jede Speicherzelle 50 Prozent mehr Informationen fasst. Offenbar sind die einzelnen TLC-Zellen erheblich größer als die x2-MLC-Zellen. In der 34-nm-Generation war der x3-MLC-Chip mit 126 Quadratmillimetern noch um 27 Prozent kleiner als der x2-MLC-Chip [7] (172 Quadratmillimeter, jeweils 32 GBit/4 GByte).

Nach Angaben von IMFlash soll die Serienfertigung des 25-nm-TLC-Chips vor dem Jahresende anlaufen. Bei den 25-nm-x2-MLC-Bauelementen läuft die Volumenproduktion bereits, diese Chips sollen in der kommenden SSD-Generation von Intel zum Einsatz kommen, die ebenfalls bis zum Jahresende erwartet [8] werden.

NAND-Flashes mit x3- oder gar x4-MLC-Technik produzieren auch andere Hersteller bereits, etwa die Kooperationspartner SanDisk und Toshiba oder Samsung, aber noch mit gröberen Strukturen. Samsung fertigt auch [9] bereits NAND-Flashes der "20-Nanometer-Klasse", jedoch offenbar bisher nur mit x2-MLC-Technik und maximal 32 GBit Kapazität. Samsung offeriert NAND-Flash-Bauelemente mit bis zu 128 GBit (16 GByte) Kapazität, die aus vier übereinander gestapelten 32-GBit-Dice bestehen (Quad-Die Package, QDP). In kompakten Speicherkarten, etwa solchen im MicroSDHC-Format mit 11 Millimetern × 15 Millimetern Kantenlänge, lassen sich dadurch bis zu 32 GByte Speicher unterbringen, MicroSDXC soll noch höhere Kapazitäten ermöglichen. (ciw [10])

URL dieses Artikels:
https://www.heise.de/-1061418

Links in diesem Artikel:
[1] http://www.imftech.com/
[2] https://www.heise.de/news/Intel-und-Micron-bauen-neue-NAND-Flash-Fabrik-in-Singapur-115401.html
[3] https://www.heise.de/news/32-GBit-Flash-Chip-mit-3-Bit-pro-Zelle-750773.html
[4] https://www.heise.de/news/Analyst-SDRAM-und-NAND-Flash-Preise-fallen-nur-langsam-1060863.html
[5] https://www.heise.de/news/NAND-Flash-Speicherchips-aus-der-25-Nanometer-Fertigung-919631.html
[6] http://www.heise.de/glossar/entry/Die-398061.html
[7] https://www.heise.de/news/IM-Flash-32-GBit-Speicherchip-mit-34-nm-Strukturen-211055.html
[8] https://www.heise.de/news/Server-SSDs-Mehr-MLC-Modelle-und-neue-Kooperationen-1058685.html
[9] https://www.heise.de/news/Samsung-fertigt-NAND-Flash-Chips-der-20-Nanometer-Klasse-980891.html
[10] mailto:ciw@ct.de

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