Flash-Speicher mit 3 Bits pro Zelle
Intel und Micron wollen bis zum Jahresende die Serienproduktion von x3-MLC-NAND-Flash mit 25-Nanometer-Strukturen hochfahren.
Die bei Flash-Speicher kooperierenden Firmen Intel und Micron haben nun auch für die 25-Nanometer-Produktion einen NAND-Flash-Speicherchip fertig entwickelt, der mittels Multi-Level-Cell-(MLC-)Technik nicht nur 2 Bits pro Zelle speichert, sondern 3. Die Partner des Joint Venture IMFlash Technologies, die zurzeit in Singapur eine zweite Fab für NAND-Flash-Speicher aufbauen, nennen ihre x3-MLC-Technik Triple Level Cell (TLC). Erste Muster der TLC-NAND-Flashes aus der 25-Nanometer-Fertigung haben Intel und Micron bereits an Kunden ausgeliefert. Ein TLC NAND Flash mit 34-nm-Strukturen hatte IMFlash vor einem Jahr angekündigt.
Anders als man erwarten könnte, belegt der 64-GBit-(8-GByte-)TLC-Chip mit 131 Quadratmillimetern nur 22 Prozent weniger Siliziumfläche als das im Februar vorgestellte x2-MLC-Die mit derselben Kapazität – obwohl jede Speicherzelle 50 Prozent mehr Informationen fasst. Offenbar sind die einzelnen TLC-Zellen erheblich größer als die x2-MLC-Zellen. In der 34-nm-Generation war der x3-MLC-Chip mit 126 Quadratmillimetern noch um 27 Prozent kleiner als der x2-MLC-Chip (172 Quadratmillimeter, jeweils 32 GBit/4 GByte).
Nach Angaben von IMFlash soll die Serienfertigung des 25-nm-TLC-Chips vor dem Jahresende anlaufen. Bei den 25-nm-x2-MLC-Bauelementen läuft die Volumenproduktion bereits, diese Chips sollen in der kommenden SSD-Generation von Intel zum Einsatz kommen, die ebenfalls bis zum Jahresende erwartet werden.
NAND-Flashes mit x3- oder gar x4-MLC-Technik produzieren auch andere Hersteller bereits, etwa die Kooperationspartner SanDisk und Toshiba oder Samsung, aber noch mit gröberen Strukturen. Samsung fertigt auch bereits NAND-Flashes der "20-Nanometer-Klasse", jedoch offenbar bisher nur mit x2-MLC-Technik und maximal 32 GBit Kapazität. Samsung offeriert NAND-Flash-Bauelemente mit bis zu 128 GBit (16 GByte) Kapazität, die aus vier übereinander gestapelten 32-GBit-Dice bestehen (Quad-Die Package, QDP). In kompakten Speicherkarten, etwa solchen im MicroSDHC-Format mit 11 Millimetern × 15 Millimetern Kantenlänge, lassen sich dadurch bis zu 32 GByte Speicher unterbringen, MicroSDXC soll noch höhere Kapazitäten ermöglichen. (ciw)
