Infineon startet Halbleiter-Serienproduktion mit 0,11-Mikrometer-Strukturen

Rund 18 Monate nach Einführung der 0,14-µm-Fertigungstechnik reduziert der Chiphersteller Infineon die Strukturgrößen in der Serienproduktion weiter.

In Pocket speichern vorlesen Druckansicht 30 Kommentare lesen
Lesezeit: 2 Min.
Rund 18 Monate nach Einführung der 0,14-µm-Fertigungstechnik reduziert der Chiphersteller Infineon die Strukturgrößen in der Serienproduktion weiter. Erste Muster von 256-Megabit-Speicherchips mit 0,11-µm-Strukturen wurden bereits erfolgreich getestet, nun kommt die im Dresdner Werk auf 200-mm-Wafern entwickelte Fertigungstechnik in der Massenproduktion auf Anlagen für 200- und 300-mm-Siliziumscheiben zum Einsatz.
Infineon verspricht sich von der Strukturverkleinerung Kostenvorteile von etwa 30 Prozent, weil nach Unternehmensangaben über 50 Prozent mehr Chips auf einen Wafer passen. Nach eigenen Angaben setzt Infineon als erster DRAM-Hersteller zur Belichtung der Halbleitermasken ein Lithografiesystem mit 193-nm-Lichtquelle ein. Damit sieht sich Infineon gut gerüstet für die nächsten Schrumpf-Schritte.
Die Prozesstechnik soll in mehreren Infineon-Speicherwerken weltweit einführt werden: In Richmond/Virginia, beim gemeinsam mit Nanya betriebenen Jointventure Inotera Memories in Taiwan und den Foundry-Partnern, also Winbond und SMIC.
Erste 0,11-µm-Produkte sollen 256-MBit-SDRAMs mit DDR-Interface sein, später stehen besonders schnelle DDR2- und Grafik-DRAMs und natürlich Bausteine höherer Kapazität mit 512 MBit und 1 GBit Fassungsvermögen auf dem Programm (aus acht 1-GBit-Bausteinen lässt sich ein 1-GByte-DIMM herstellen; ein ECC-taugliches Stacked DIMM mit 4 GByte Kapazität -- etwa für Opteron-Systeme -- besteht aus 36 solcher SDRAM-Chips).
Infineon sieht sich in einer günstigen Wettbewerbssituation, weil seit rund einem halben Jahr die 300-mm-Fertigung richtig rund läuft und die gemeinsam mit IBM und Toshiba entwickelte Trench-Speicherzellen prinzipiell zu etwa 10 Prozent kleineren DRAMs führen als die Technik der Konkurrenten. Doch der Speicher-Weltmarktführer Samsung steht auch nicht schlecht da, denn die Südkoreaner bauen nach eigenen Angaben Chips bereits mit 90-nm-Strukturen (0,09 µm). Auch Hynix will demnächst mit der 0,10-µm-Fertigung starten.