Speicherchips mit mehr Kapazität, höherer Geschwindigkeit und weniger Stromdurst
Infineon hat mit der Bemusterung von Speicherchips nach DDR2-Standard und mit 512 MBit Kapazität begonnen.
Infineon kündigt neue Speicherchips aus den Familien DDR2-SDRAM, DDR-SDRAM, Mobile-RAM und RLDRAM an. Demnach hat das Münchener Unternehmen mit der Bemusterung von Speicherchips nach DDR2-Standard -- auch als DDR II bezeichnet -- und mit 512 MBit Kapazität begonnen.
Die Bausteine fertigt Infineon in einem 0,11-Mikrometer-Prozess und mit x4-, x8- und x16-Organisation (4, 8 oder 16 Datenleitungen). DDR2-Speicherriegel sollen ab 2004 im Markt auftauchen und mit Taktfrequenzen von 200 MHz (DDR-II-400), 266 (DDR533) und 333 MHz (DDR667) zu haben sein. Auch Elpida und Samsung Electronics liefern DDR2-Chips schon in Mustermengen, GDDR2-Bausteine für Grafikkarten laufen schon in Serie von den Bändern.
Für Notebooks mit DDR-SDRAM-Chipsätzen baut Infineon jetzt 200-Pin-SO-DIMMs mit 1 GByte Kapazität; darauf sitzen Dual-Die-Bausteine aus je zwei 512-MBit-Chips. Die Muster nach PC2100-Spezifikation (DDR266) verkauft Infineon ab sofort für rund 900 Euro, später im Jahr sollen DDR333/PC27000-SO-DIMMs folgen.
Bei Handhelds ist es um die Akkukapazität noch schlechter bestellt als bei Laptops, daher bieten mittlerweile mehrere Chipfirmen SDRAM-Bauteile mit besonders geringem Energiebedarf an. Infineon erweitert seine Mobile-RAM-Produktpalette aus 128- und 256-MBit-Chips jetzt um einen 512-MBit-Typ.
Auf besonders hohe Arbeitsgeschwindigkeit zielt das Reduced-Latency-DRAM. Mit Reihen-Zykluszeiten von nur 25 Nanosekunden sollen die jetzt in Serie gefertigten 256-MBit-RLDRAMs die wesentlich teureren und nur mit geringeren Kapazitäten lieferbaren SRAMs in vielen Anwendungen ersetzen können; Infineon hat damit vor allem Netzwerk-Geräte im Visier. (ciw)
