Infineon fertigt Speicherchips im 0,14-Micron-Prozess
Das Dresdner Infineon-Halbleiterwerk fertigt seit kurzem 256-Megabit-Speicherchips im neuen 0,14-µm-Prozess. Jetzt ist die Volumenproduktion angelaufen.
Schon seit September fertigt das Dresdner Infineon-Halbleiterwerk 256-Megabit-Speicherchips im neuen 0,14-µm-Prozess. Jetzt ist nach Firmenangaben die Volumenproduktion angelaufen, erste PC133-Speichermodule mit diesen Chips wurden bereits von Intel validiert.
Im Vergleich zum vorher genutzten 0,17-µm-Prozess sind die Strukturen der im neuen Verfahren hergestellten Chips um 18 Prozent kleiner. Das bringt Kostenvorteile von rund 30 Prozent, meint Infineon. Außerdem erfüllen die Single-Data-Rate-SDRAMs jetzt die Anforderungen für das schnellere "2-2-2"-Timing. Die aus 16 (oder bei ECC-DIMMs: 18) 256-MBit-Chips aufgebauten 512-MByte-Module (HYS64V64220GU-7-D) seien überhaupt die ersten dieser Kapazität und Geschwindigkeitsklasse, die Intel für Pentium-4-Mainboards mit dem Chipsatz i845 freigegeben habe. Datenblätter der neuen SDRAM-Chips finden sich auf dem Infineon-Server zurzeit leider noch nicht, nur die Module sind bereits gelistet.
Die südkoreanische Samsung Electronics beherrscht nach eigenen Angaben einen 0,15-µm-Prozess und plant, im nächsten Jahr RDRAMs in 0,12-µm-Technik zu fertigen. Hynix will im kommenden Jahr auf 0,16 µm umsteigen.
Außer der Strukturgröße entscheiden aber noch andere Fertigungsparameter über den Flächenverbrauch und damit die Kosten für einen Chip. Infineon ist stolz auf die angeblich einzigartige "Trench"-Technik, die bei den einzelnen Speicherzellen zum Einsatz kommt. Diese sei besonders platzsparend und damit kostengünstig. Möglichst kleine Chipflächen ermöglichen im Allgemeinen außerdem höhere Taktfrequenzen oder Zugriffsgeschwindigkeiten.
Die Dresdner 0,14-µm-Fertigungslinie verarbeitet 200-mm-Siliziumscheiben (Wafer). Die neue Technik soll bald auch in den Werken im US-amerikanischen Richmond/Virginia (White Oak) und bei dem taiwanischen Fertigungs-Joint-Venture ProMOS zum Einsatz kommen. An ProMOS sind Infineon und Mosel Vitelic beteiligt, dort sollte eigentlich noch in diesem Jahr eine milliardenteure 300-mm-Fertigungslinie in Betrieb gehen. Nach einem Bericht einer taiwanischen Wirtschaftszeitung scheint sich die Fertigstellung aber deutlich in das Jahr 2002 hinein zu verzögern, weil ProMOS wegen der extrem niedrigen DRAM-Preise in Liquiditätsprobleme geraten sei. (ciw)
