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Das Dresdner Infineon-Halbleiterwerk fertigt seit kurzem 256-Megabit-Speicherchips im neuen 0,14-µm-Prozess. Jetzt ist die Volumenproduktion angelaufen.

Schon seit September fertigt das Dresdner Infineon-Halbleiterwerk 256-Megabit-Speicherchips im neuen 0,14-µm-Prozess. Jetzt ist nach Firmenangaben die Volumenproduktion angelaufen, erste PC133-Speichermodule mit diesen Chips wurden bereits von Intel validiert.

Im Vergleich zum vorher genutzten 0,17-µm-Prozess sind die Strukturen der im neuen Verfahren hergestellten Chips um 18 Prozent kleiner. Das bringt Kostenvorteile von rund 30 Prozent, meint Infineon. Außerdem erfüllen die Single-Data-Rate-SDRAMs jetzt die Anforderungen für das schnellere "2-2-2"-Timing. Die aus 16 (oder bei ECC-DIMMs: 18) 256-MBit-Chips aufgebauten 512-MByte-Module (HYS64V64220GU-7-D) seien überhaupt die ersten dieser Kapazität und Geschwindigkeitsklasse, die Intel für Pentium-4-Mainboards mit dem Chipsatz i845 [1] freigegeben habe. Datenblätter der neuen SDRAM-Chips finden sich auf dem Infineon-Server [2] zurzeit leider noch nicht, nur die Module sind bereits gelistet [3].

Die südkoreanische Samsung Electronics beherrscht nach eigenen Angaben einen 0,15-µm-Prozess [4] und plant, im nächsten Jahr RDRAMs in 0,12-µm-Technik zu fertigen [5]. Hynix will im kommenden Jahr auf 0,16 µm umsteigen [6].

Außer der Strukturgröße entscheiden aber noch andere Fertigungsparameter über den Flächenverbrauch und damit die Kosten für einen Chip. Infineon ist stolz auf die angeblich einzigartige "Trench"-Technik, die bei den einzelnen Speicherzellen zum Einsatz kommt. Diese sei besonders platzsparend und damit kostengünstig. Möglichst kleine Chipflächen ermöglichen im Allgemeinen außerdem höhere Taktfrequenzen oder Zugriffsgeschwindigkeiten.

Die Dresdner 0,14-µm-Fertigungslinie verarbeitet 200-mm-Siliziumscheiben (Wafer). Die neue Technik soll bald auch in den Werken im US-amerikanischen Richmond/Virginia (White Oak) und bei dem taiwanischen Fertigungs-Joint-Venture ProMOS [7] zum Einsatz kommen. An ProMOS sind Infineon und Mosel Vitelic beteiligt [8], dort sollte eigentlich noch in diesem Jahr eine milliardenteure 300-mm-Fertigungslinie in Betrieb gehen. Nach einem Bericht einer taiwanischen Wirtschaftszeitung scheint sich die Fertigstellung aber deutlich in das Jahr 2002 hinein zu verzögern, weil ProMOS wegen der extrem niedrigen DRAM-Preise in Liquiditätsprobleme geraten sei. (ciw [9])

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https://www.heise.de/-55329

Links in diesem Artikel:
[1] http://www.intel.com/design/motherbd/hv/hv_internalmem.htm
[2] http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_ov.jsp?oid=13526&cat_oid=-8004
[3] http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_ov.jsp?oid=13533&cat_oid=-8009
[4] https://www.heise.de/news/Samsung-fertigt-erste-DDR333-Speicherchips-49303.html
[5] https://www.heise.de/news/Samsung-stellt-576-MBit-RDRAM-vor-49925.html
[6] https://www.heise.de/news/Hynix-schliesst-US-Werk-voruebergehend-41099.html
[7] http://www.promos.com.tw/
[8] https://www.heise.de/news/Investiert-Infineon-in-DRAM-Fab-17150.html
[9] mailto:ciw@ct.de

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