Infineon stellt 65-nm-Multi-Gate-FinFET vor
Transistoren mit mehreren Gate-Elektroden versprechen bessere elektrische Eigenschaften.
Forscher von Infineon haben nach eigenen Angaben erstmals eine komplexere Schaltung aus dreidimensional strukturierten Multi-Gate-Transistoren in einem 65-Nanometer-Prozess erfolgreich hergestellt und getestet. Diese Schaltung war aus mehr als 3000 Multi-Gate-FinFETs aufgebaut, die bei gleicher Leistungsfähigkeit wie herkömmliche Single-Gate-Transistoren wesentlich sparsamer arbeiten sollen und gleichzeitig weniger Siliziumfläche belegen.
Bei den 3D-Transistoren umschließen mehrere Gate-Elektroden den Channel von drei Seiten; dadurch verbessert sich die Sperrwirkung: Die Leckströme sollen um den Faktor 10 sinken.
Mehrere Hersteller (darunter AMD, IBM, Intel, Motorola) und Forscherteams arbeiten seit Jahren an FinFETs. Infineon kooperiert dabei mit dem IMEC und schätzt, dass Multi-Gate-FinFETs in fünf bis sechs Jahren einsatzreif sein können für die Großserienfertigung von Halbleiterchips. Die FinFETs sind nicht nur für Logik-Schaltungen gedacht, sondern etwa auch für Flash-Speicherchips. (ciw)
