AMD demonstriert FinFETs mit 10 Nanometern Gate-Länge
Vertikal orientierte Transistoren mit mehreren Gates sollen bedeutend kleiner werden als die heute üblichen Bauformen. AMD hat ein Labormuster eines solchen Feldeffekttransistors (FET) mit nur 10 Nanometern Gatelänge hergestellt.
Vertikal orientierte Transistoren mit mehreren Gates sollen bedeutend kleiner werden als die heute üblichen Bauformen. AMD hat ein Labormuster eines solchen Feldeffekttransistors (FET) mit nur 10 Nanometern Gate-Länge hergestellt.
Der 10-nm-Dualgate-FinFET ist das Ergebnis einer Kooperation von AMD mit der Universität Berkeley und der Semiconductor Research Corporation (SRC). Im vergangenen Jahr hatte AMD einen FinFET mit 15 nm Gate-Länge vogestellt, die Forscher aus Berkeley berichteten schon 1999 über eine Version mit 18 nm Gate-Länge. An FinFETs arbeitet auch IBM seit Jahren, bei Motorola setzt man statt auf FinFETs zur Strukturverkleinerung auf Kristalle mit Perowskit-Strukturen. Intel zeigte im letzten Jahr einen Transistor mit 15 nm Gate-Länge und einer "Transitfrequenz" von 1,2 THz.
Angeblich will auch Intel noch in dieser Woche auf dem IDF Informationen zu Multigate-Transistoren veröffentlichen. Weitere Details zu Multigate-Transistoren und FinFETs erwartet man von der Fachtagung IEDM 2002 im Dezember dieses Jahres. IBM will dann ein funktionsfähiges SRAM aus FinFETs vorstellen. Vertikal orientierte Transistoren kommen auch in DRAM-Chips mit "Trench"-Zellen zum Einsatz, die beispielsweise Infineon baut. (ciw)
