Infineons erster NAND-Flash-Baustein ist fertig

Die langjährige Kooperation von Infineon mit der israelischen Firma Saifun trägt nun eine Frucht in Form eines 512-MBit-Flash-Speicherchips. Dieser Baustein nutzt die von Saifun entwickelte NROM-Technik und speichert 2 Bit pro Zelle, weshalb er mit recht wenig Silizium-Fläche auskommt und sich preiswert fertigen lässt. Saifuns NROM-Technik hat sich laut Infineon bisher bei NOR-Flashes bewährt und kommt nun erstmals für NAND-kompatible Chips zum Einsatz, die vordringlich als Massenspeicher in Handys, MP3-Spielern, Speicherkarten und USB-Sticks Verwendung finden.

Die Abbildung (aus einem Vortrag anlässlich der ISSCC 2002, 1-MByte PDF-Datei hier) zeigt das Silizium-Die eines 512-MBit-NROM-Flash-Chips mit TwinFlash-Technik. Durch die gute Flächen-Nutzung kann Infineon die Speicherchips zu akzeptablen Preisen auf älteren Fertigungsanlagen herstellen, die sich nicht mehr zur konkurrenzfähigen Produktion von DRAM-Chips eignen; die TwinFlash-Bausteine laufen in der Dresdner Fab für 200-mm-Wafer vom Band.

Infineon und Saifun hatten 2001 eine gemeinsame Firma namens Ingentix gegründet und diese vor etwa einem Jahr in Infineon Flash GmbH & Co KG mit Standort Dresden umgewandelt.

NOR-Flash-Speicherchips sind in der Fertigung teurer und nur mit geringerer Kapazität lieferbar als NAND-Bausteine, eignen sich aber von den Zugriffszeiten her auch für die Speicherung von Programmcode für PDA-, Handy- oder Industrie-Steuerungsanwendungen. Infineons NAND-kompatible TwinFlash-Bausteine sollen Daten mit bis zu 8 MByte/s liefern können. Durch die stetige Strukturverkleinerung, höhere Betriebsfrequenzen, die Speicherung von mehreren Bits pro Zelle (Multi-Level- und Multi-Bit-Zellen) und verbesserte Zugriffsstrategien verschwimmen die Grenzen zwischen NAND- und NOR-Flash-Technik zunehmend. (ciw)