Micron kündigt Flash-Speicherchips mit 256 MByte Kapazität an

Noch vor Ende dieses Jahres will die US-Firma Micron NAND-Flash-Speicherchips mit 2 GBit (256 MByte) Kapazität herstellen. Bisher fertigt das Unternehmen nur NOR-Flash-Komponenten wesentlich kleinerer Kapazität, aber mit höherer Zugriffsgeschwindigkeit, wie sie beispielsweise als BIOS-Code- beziehungsweise Firmware-Speicherchips auf Mainboards und in Handys zum Einsatz kommen. NAND-Flash-Bausteine sind langsamer, aber bezogen auf die Kapazität bisher noch wesentlich preiswerter und deshalb in USB-Speichersticks oder auf Speicherkarten für Digitalkameras und PDAs die erste Wahl.

Micron will den 2-Gigabit-Chip gleich in 90-Nanometer-Technik herstellen und geht davon aus, dass dessen Kapazitätswert zum Zeitpunkt seiner Marktreife im Bereich des größten Stückzahlvolumens liegt. Micron will offensichtlich auch im schnell wachsenden Flash-Segment ein gewichtiges Wörtchen mitreden und erhebliche Marktanteile erobern. Flash-Marktführer Samsung hat schon vor nunmehr fast zwei Jahren die erfolgreiche Fertigung von 2-GBit-NAND-Flash-Chips mit 90-Nanometer-Strukturen gemeldet und produziert diese laut eigener Webseite mittlerweile in Massenstückzahlen.

Zu den von Micron bisher gelieferten NOR-Flash-Bausteinen gehört beispielsweise die Q-Flash-Serie, die vollständig kompatibel sein soll zu Intels StrataFlash-Chips.

Microns Einnahmen sind im Wesentlichen von den stark schwankenden Preisen für DRAM-Speicher abhängig. Erst im letzten Quartal schloss Micron nach langer Durststrecke wieder mit einem Überschuss ab. Zurzeit führt das Unternehmen nach eigenen Angaben den Markt der brandneuen DDR2-Speicherchips an; dafür erhielt es von Intel massive Finanzspritzen. Außer mit Flash-Speicherchips will Micron sein Angebot auch mit anderen Produkten diversifizieren, etwa mit CMOS-Bildsensoren sowie mit den gemeinsam mit Infineon entwickelten RLDRAM- und CellularRAM-Speicherchips.

Zurzeit erprobt Micron seine erste Produktionsanlage für 300-mm-Wafer, die in dem vor zwei Jahren von Toshiba übernommenen DRAM-Werk (ehemals Dominion) in Manassas, Virginia, steht. Auch in Lehi im US-Bundesstaat Utah könnte Micron nach eigenen Angaben relativ schnell eine 300-mm-Linie aufbauen, wegen der günstigen Preise von 200-mm-Scheiben und dem optimierten Produktionsprozess sieht Micron dafür aber bisher keine dringende Notwendigkeit. (ciw)