Micron kauft Flashspeicher-Hersteller Numonyx

Der US-amerikanische Speicherchiphersteller Micron, der gemeinsam mit Intel das auf NAND-Flashspeicher spezialisierte Joint Venture IM Flash Technologies betreibt, kauft mit der in der Schweiz ansässigen und in den Niederlanden registrierten Firma Numonyx das erst 2008 gegründete Joint Venture von Intel und STMicroelectronics (ST). Nun hat Micron auch Zugriff auf NOR-Flash-Speichertechnik sowie auf die in der Entwicklung befindliche Phasenübergangsspeichertechnik (Phase-Change Memory, PCM).

Intel und ST hatten ihre jeweiligen NOR-Flash-Speicherwerke (Fabs) in das Joint Venture Numonyx abgespalten, um sich zu verschlanken. Im NOR-Flash-Speichermarkt kriselt es seit Jahren; der langjährige Marktführer Spansion – ebenfalls eine Abspaltung, nämlich von AMD, und zuvor gemeinsam mit Fujitsu finanziert – kämpft seit einem Jahr mit der Insolvenz, der fünftgrößte Hersteller SST gehört mittlerweile einem Finanzinvestor. Auch an Numonyx hat der Finanzinvestor Francisco Partners eine kleine Beteiligung (6,3 Prozent).

Wegen der komplizierten Beteiligungsstrukturen von Intel, ST und weiteren Partnern an der Firma Numonyx, die zudem bei NAND-Flash-Speicher mit Hynix kooperiert, ist auch der Verkauf an Micron komplex. Das Geschäft wird komplett über Aktien abgewickelt, indem Micron 140 Millionen eigene Anteile an Intel, ST und Francisco Partners übergibt. Falls der Micron-Aktienkurs zu stark nachgibt, muss Micron bis zu 10 Millionen Aktien drauflegen. Der Deal soll ein Volumen von rund 1,27 Milliarden US haben. ST betrachtet die Micron-Anteile als reine Investition, Intel ist schon seit Jahren erheblich an Micron beteiligt.

Die ehemalige ST-Halbleiter-Fab M6 im sizilianischen Catania, die für die Verarbeitung von 300-Millimeter-Wafern ausgelegt ist und deren Bau von der EU gefördert wurde, fällt wieder in den Besitz von ST zurück. ST will die lange leerstehende Fab aber nicht selbst nutzen, sondern bringt sie in ein Joint Venture zur Solarzellenfertigung gemeinsam mit Sharp und dem italienischen Energiekonzern Enel ein.

Samsung ist der weltgrößte Hersteller sowohl von DRAM- als auch von nichtflüchtigen NAND-Flash-Speicherchips; bei NOR-Flash liegt Samsung auf Rang 3, Micron bei DRAM hinter Hynix und Elpida auf Rang 4, bei NAND-Flash auf Rang 3 und – dank Numonyx – bei NOR-Flash dann wohl auf Rang 2, mit geringem Abstand zu Spansion. Wohl auch wegen der damals noch niedrigen DRAM-Preise – das Finanzjahr endet bei Micron jeweils Anfang September – war die wirtschaftliche Bedeutung des NAND-Flash-Speichers für Micron im Geschäftsjahr 2009 erheblich: 39 Prozent des gesamten Umsatzes kamen aus dem Flash-Geschäft, die Hälfte davon kaufte Intel (PDF-Datei).

Auf der Halbleiterkonferenz ISSCC hat Numonyx soeben einen neuen PCM-Chip aus der 45-Nanometer-Fertigung vorgestellt, der auf 37,5 Quadratmillimetern Siliziumfläche 1 Gigabit (128 MByte) an Daten in Single-Level Cells (SLC) unterbringen soll. Einen 128-MBit-Chip aus der 90-nm-Fertigung kann man bei Numonyx bereits als Muster bekommen; Konkurrent Samsung hat nach eigenen Angaben die Serienfertigung eines 512-Megabit-PRAMs bereits im vergangenen Herbst aufgenommen. Zum Vergleich: Bei (MLC-)NAND-Flashes ist 30- oder gar 25-nm-Fertigung Stand der Technik, dann passen 64 Gigabit (8 GByte) auf 167 Quadratmillimeter – bezogen auf die Fläche also das 14-Fache wie beim 45-nm-SLC-PCM von Numonyx. (ciw)