Phasenwechsel-Speicherzelle als Flash-Nachfolgerin
Etwa im Jahr 2015 könnte eine Phase-Change-Speicherzelle aus Germaniumantimonid-Dünnfilm die heute übliche Flash-Technik für nichtflüchtige Speicherbausteine ablösen.
Forscher aus den IBM-Forschungszentren Almaden und Yorktown Heights verkünden erste Ergebnisse ihrer seit zweieinhalb Jahren laufenden Kooperation mit Macronix und Qimonda zur Erforschung zukünftiger Phasenwechsel-Speicherchips. Anlässlich des Halbleiter-Szenetreffs ISSCC im Februar 2007 will man technische Details der neuen Technik für nichtflüchtige Speicherzellen (NVM, Non-Volatile Memory) vorstellen, die auf Germaniumantimonid- (GeSb-)Dünnfilm setzt.
Dr. Tze-Chiang Chen vom IBM-Forschungszentrum Almaden hebt besonders hervor, dass die Speicherzelle lediglich 60 Quadratnanometer (3 nm x 20 nm) Fläche belegt und damit ungefähr zu der 2015 erwarteten Chip-Fertigungstechnik passt. Bei der bisher üblichen Technik für NAND-Flash-Speicherzellen erwartet man hingegen Probleme mit der Skalierbarkeit auf kleinere Strukturen in nicht allzu ferner Zukunft; allerdings gibt es auch hier starke Anstrengungen zur Entwicklung alternativer Konzepte (etwa 3D-Transistoren). Doch auch NAND-Flash-Marktführer Samsung arbeitet an einer Phasenwechsel-Speichertechnik (PRAM), die bereits 2008 marktreif sein soll. (ciw)
