Samsung liefert Muster von DDR-II-Speicherchips (Update)
Der koreanische Speichergigant Samsung Electronics will ab November erste Muster von Double-Data-Rate-SDRAMs nach DDR-II-Standard liefern.
Der koreanische Speichergigant Samsung Electronics will ab November erste Muster von Double-Data-Rate-SDRAMs nach DDR-II-Standard liefern. Die 512-MBit-Bausteine kommen organisiert als 128Mx4, 32Mx16 und 64Mx8. Letzteres eignet sich zum Aufbau von 256- und 512-MByte-Speichermodulen fĂĽr Desktop-PCs.
Die DDR-II-Spezifikation der JEDEC ist noch nicht veröffentlicht. Einige Eckdaten sind dennoch bekannt: Die SDRAM-Chips laufen mit einer Versorgungs- und Signalspannung von 1,8 Volt und erreichen 200 beziehungsweise 266 MHz Taktfrequenz. Wegen des DDR-Verfahrens erreicht die Datentransferrate eines 64 Bit breiten DIMMs mit 200-MHz-Chips maximal 3,2 GByte/s, bei 266 MHz sind es rund 4,3 GByte/s. Als Typenbezeichnung der Speicherchips dienen die Kürzel DDR-II 400 und DDR533, die daraus aufgebauten Module heißen PC3200 und PC4300.
Den 64Mx8-Baustein K4T51083QM will Samsung in vier verschiedenen "Speed Grades" liefern: DDR-II 400 mit einer CAS Latency von vier Takten (CL=4, entsprechend 20 ns) oder mit CL3 (15 ns) sowie DDR533 mit CL=5 und CL=4 (15,2 beziehunsgweise 19 ns).
DDR-II-Chips versprechen durch verbesserte Adressierungsprozesse eine in der Praxis höhere nutzbare Datentransferrate. So beherrschen DDR-II-Chips das so genannte "Posted-CAS"-Verfahren und benötigen bei Schreibzugriffen eine um einen Takt kürzere CAS Latency als bei Lesezugriffen. Zur Optimierung der Signalqualität sind DDR-II-SDRAMs in der Lage, die Eingangssignale auf ihrem Die zu terminieren. Außerdem lässt sich die Impedanz der Treiberstufen anpassen.
Der bereits angekündigte Chipsatz SiS648 ist für 200-MHz-DDR-Module nach DDR-I-Spezifikation, also für 2,5 Volt Spannung ausgelegt. Für diesen Chipsatz hat der US-Speicherhersteller Micron schon erste PC3200-DIMMs nach DDR I geliefert. Auf diesen kamen allerdings Speicherchips im bisher dafür üblichen TSOP-Gehäuse zum Einsatz (Thin Small Outline Package), während Samsung seine DDR-II-Muster in ein FBGA-Gehäuse mit 60 Balls packen will (Fine-pitch Ball Grid Array).
Während die DDR-II-Chips also noch eine Weile auf sich warten lassen, hat Samsung nach Angabe des Newsdienstes The Inquirer mit der Massenproduktion von PC3200-DIMMs mit 128 und 256 MByte Kapazität 200-MHz-DDR-I-Chips begonnen. (ciw)
