UMC produziert erste 45-Nanometer-Chips
Der Chip-Auftragsfertiger UMC hat erste SRAM-Muster mit 45-nm-Strukturen in Immersions-Lithografie hergestellt.
Der große taiwanische Chip-Auftragsfertiger UMC hat nach eigenen Angaben erste Muster von SRAMs mit einer 45-Nanometer-Prozesstechnik produziert. Die wichtigsten 12 Schichten dieser Test-Chips wurden mit Hilfe von Immersions-Lithografie belichtet. Eine 6T-SRAM-Zelle – diese Logik-Schaltung ist in der Branche zum Test neuer Prozesse üblich – soll laut UMC dank der verkleinerten Strukturen nur noch 0,25 Quadratmikrometer Waferfläche belegen.
Texas Instruments hatte bereits zur Jahresmitte SRAM-Zellen mit 0,24 Quadratmikrometer vorgestellt, in Intels P1266-Prozess sollen sie 0,346 Quadratmikrometer Fläche einnehmen; anders als die Konkurrenz will Intel allerdings "trocken" belichten und auf die aufwendige Immersion verzichten.
Laut UMC – der weltweit zweitgrößten Foundry – läuft die 45-nm-Musterproduktion in der 300-mm-Wafer-Fab 12A im Tainan Science Park. Intel will bereits Ende 2007 erste 45-nm-Produkte in Großserie herstellen, andere Chip-Hersteller dürften ab 2008 folgen. (ciw)
