VLSI Symposium: SRAM aus Silizium-Nanodraht-Transistoren
Samsung arbeitet an sogenannten Twin Silicon Nanowire MOSFETs (TSNWFETs), die sich auch für SRAM-Zellen eignen.
Nicht nur Kohlenstoff taugt als Nanodraht-Material, zur Integration in herkömmliche CMOS [1]-Produktionsverfahren für Halbleiterbauelemente ist Silizium viel besser geeignet. Bereits auf dem IEDM 2005 hatten Samsung-Entwickler über einen experimentellen Twin Silicon Nanowire MOS [2]FET (TSNWFET [3]) mit zwei Nanodrähten von je 5 Nanometern Radius berichtet und 2006 einen Gate-All-Around-(GAA)-TSNWFET mit zwei 4-nm-Radius-Siliziumdrähten präsentiert. Auf dem VLSI Symposium in Honolulu/Hawaii erläutern die Samsung-Forscher um Sung Dae Suk nun den Aufbau von SRAM [4]-Zellen aus TSNWFETs.
Der kleine Radius der Silizium-Nanodrähte führt zu einer kurzen effektiven Gatelänge und damit zu guten Schalteigenschaften solcher TSNWFETs, die – ähnlich wie FinFETs, MuGFETs [5] oder die ebenfalls von Samsung genutzten S-RCATs [6] – zu den dreidimensional stukturierten und jedenfalls nicht-planaren Transistoren zählen.
Am Tokyo Institute of Technology forscht Professor Shun-Ichiro Ohmi [7] derweil an Twin-Channel-(TC-)MOSFETs, die anscheinend [8] ähnliche Vorzüge bieten wie die GAA-TSNWFETs von Samsung.
Mehr zum VLSI Symposium 2008:
- Neues vom AMD/IBM-FinFET [9]
- Intel stellt Floating-Body-Cell-Speicher und Nehalem-Taktgeber vor [10]
(ciw [11])
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[3] http://www.heise.de/glossar/entry/Feldeffekt-Transistor-397113.html
[4] http://www.heise.de/glossar/entry/Static-Random-Access-Memory-395676.html
[5] https://www.heise.de/news/Multigatter-Transistor-im-45-nm-Prozess-102876.html
[6] https://www.heise.de/news/Samsung-kuendigt-70-Nanometer-Speicherchips-an-137993.html
[7] http://www.lsi.ip.titech.ac.jp/English/top.htm
[8] http://ietele.oxfordjournals.org/cgi/content/refs/E90-C/5/994
[9] https://www.heise.de/news/VLSI-Symposium-Neues-vom-AMD-IBM-FinFET-214688.html
[10] https://www.heise.de/news/VLSI-Symposium-Intel-stellt-Floating-Body-Cell-Speicher-und-Nehalem-Taktgeber-vor-214546.html
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