Samsung stellt 576-MBit-RDRAM vor
Samsung will im ersten Halbahr 2002 die Serienfertigung von preiswerteren und schnelleren Rambus-Speicherchips aufnehmen.
Samsung Electronics will im ersten Halbahr 2002 die Serienfertigung von preiswerteren und schnelleren Rambus-Speicherchips aufnehmen. Die Entwicklung eines solchen 576-Megabit-RDRAMs ist nach Angaben der Koreaner abgeschlossen.
Eine Reihe von Maßnahmen sollen die neuen Rambus-Speicherbausteine billiger machen als heutige RDRAMs: Dank eines neuen 0,12-µm-Prozesses sollen auf einen Siliziumwafer rund 47 Prozent mehr Chips als mit heutiger Technik passen. Außerdem hat Samsung den im Vergleich zu SDR- und DDR-SDRAM nötigen zusätzlichen Chip-Flächenbedarf für das kompliziertere Rambus-Interface angeblich auf weniger als 1 Prozent der Gesamtfläche des 576-MBit-RDRAMs reduziert. Zur weiteren Vereinfachung der Schaltung des Speichers und damit zur Kosteneinsparung besitzt der Chip nur vier interne Speicherbänke, wie es auch bei SDRAMs ab 64 MBit Kapazität üblich ist. Bisherige RDRAMs haben 32 interne Speicherbänke, was Rambus als Leistungsvorteil preist. Quasi als Ausgleich eignen sich die neuen RDRAMs auch zum Betrieb mit 533 MHz Busfrequenz, was für eine maximale theoretische Datentransferrate von 2,1 GByte/s ausreichen soll – wie bei PC2100-DIMMs. Zwei Rambus-Channels wären dann für bis zu 4,2 GByte/s gut.
Die "krumme" Speicherkapazität von 576 Megabit rührt daher, dass bei Rambus zusätzliche Bits zur ECC-Fehlerkorrektur auf demselben Chip untergebracht sein müssen. Ein 576-MBit-RDRAM wird also meist zur Speicherung von 512 MBit (64 MByte) Nutzdaten und 64 MBit (8 MByte) ECC-Informationen benutzt. ECC-geeignete SDRAM-DIMMs speichern die Redundanzinformationen zur Fehlerkorrektur in einem zusätzlichen Speicherchip.
16 der neuen RDRAMs lassen sich zu einem 1-GByte-RIM-Modul zusammenschalten, bislang waren maximal 512-MByte-RIMMs machbar. Im kommenden Jahr wird Intel neue Pentium-4-Versionen mit FSB533 herausbringen. Der dazu nötige neue Chipsatz kann dann sicherlich auch mit den neuen RIMMs umgehen. Zwei Rambus-Kanäle lassen sich dann wahrscheinlich mit je zwei dieser RIMMs auf bis zu 4 GByte Speicher aufrüsten.
Samsung Electronics lieferte nach neuesten eigenen Angaben 60 Prozent aller weltweit im ersten Halbjahr 2001 verkauften Rambus-Speicherchips. Im nächsten Jahr wollen die Koreaner 1 Milliarde US-Dollar Umsatz mit RDRAMs machen, im Jahre 2003 sogar 2,5 Milliarden US-Dollar. Da es nicht so viele Hersteller von Rambus-Speicherchips wie von SDRAMs gibt und RDRAM nach wie vor etwas teurer ist, hofft Samsung, in diesem Segment dem extremen Preisdruck des Speichermarktes ein wenig zu entkommen. So stellte das Unternehmen bereits eine Reihe von Spezialmodulen mit RDRAMs vor. (ciw)
