Samsung verspricht SSD mit 3D-V-NAND noch im Juli

An Direktkunden verkauft Samsung angeblich schon länger Solid-State Disks aus Flash-Chips mit vertikal orientierten NAND-Flash-Zellen und mehrlagigem Aufbau: sie sollen unter anderem robuster sein.

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Schon im August vergangenen Jahres hatte Samsung den Beginn der Serienfertigung eines neuen NAND-Flash-Speichertyps verkündet: 3D V-NAND. Dabei sind die einzelnen Flash-Speicherzellen nicht mehr planar, sondern vertikal ausgeführt. Dabei optimiert Samsung auch die Robustheit der Zellen, sie sollen mehr Schreib-/Löschzyklen verkraften als beispielsweise 19-nm-MLC-Flashes. Dass die einzelnen V-NAND-Zellen mehr Platz belegen, kompensiert Samsung durch einen mehrlagigen Aufbau des monolithischen Flash-Die. Letztlich verspricht 3D-V-NAND also höhere Kapazität und größere Widerstandsfähigkeit gegen Überschreiben zugleich.

Samsung SSD 850 Pro mit 3D-V-NAND-Flash-Chips.

(Bild: Samsung)

Nach eigenen Angaben liefert Samsung SSDs aus 3D-V-NAND-Chips schon seit geraumer Zeit aus und hat auf der Computex Anfang Juni sogar schon die zweite Generation von 3D-V-NAND-Chips angekündigt. Doch bislang fanden sich keine damit bestückten SSDs im Einzelhandel. Das soll sich noch im Verlauf des Juli mit der SSD 850 Pro ändern, die es mit 128, 256, 512 GByte und 1 TByte Kapazität geben soll. Samsung verspricht bis zu 100.000 IOPS beim Lesen und 90.000 IOPS beim Schreiben sowie Datentransferraten von 550 MBytes/s beim sequenziellen Lesen (520 MByte/s beim Schreiben). Leider verrät Samsung aber noch keine Preise.

Aufbau einer 3D-V-NAND-Flash- Zelle laut Samsung; 32 davon sind in den aktuellen Chips übereinandergestapelt.

(Bild: Samsung)

In der SSD 850 Pro scheint die zweite Generation von3D-V-NAND-Flashes mit 32 Lagen zum Einsatz zu kommen; bei der ersten Generation war im Sommer 2013 von 24 Lagen die Rede. Bei der SSD 850 Pro hat Samsung auch einen Überhitzungsschutz eingebaut: Wird es in der SSD zu warm, drosselt sie die Zugriffe. Ob das nur beim Schreiben oder auch beim Lesen auftritt, erwähnt Samsung nicht. Laut den Garantiebedingungen auf der Webseite gewährt Samsung 10 Jahre Garantie, wenn insgesamt nicht mehr als 150 Terabyte geschrieben wurden (150 TBW, Terabytes Written).

Auf der Computex hatte Samsung auch eine neue "Datacenter"-(DC-)Version der SSD 840 mit TLC-NAND-Flashes angekündigt, die SSD 845DC Evo. Dabei scheint es sich aber um Varianten der schon zuvor angekündigten PM853T (PDF-Datei) zu handeln, darauf deuten jedenfalls die Typennummern hin, (ciw)