Intel: Wir haben den kleinsten (Transistor)

Im Vorfeld der Halbleiter-Entwicklerkonferenz ISSCC 2015 rasseln die konkurrienden Chiphersteller mit ihren Säbeln. Vor wenigen Tagen erst hat Samsung verkündet, dass die Serienfertigung von 14-Nanometer-Handy-SoCs angelaufen ist. Nun kontert Intel mit dem Hinweis, deutlich kleinere 14-nm-FinFETs fertigen zu können: Demnach beträgt der "Fin Pitch" – der Abstand zwischen den senkrecht orientierten Gate-"Finnen" zweier benachbarter Transistoren – bei Intels 14-nm-Produkten minimal 42 nm, bei Samsung dagegen 48 nm.

Auch andere Dimensionen bekommt Intel nach eigener Aussage feiner hin und hebt vor allem die Fläche der oft zum Vergleich herangezogenen SRAM-Zelle aus 6 Transistoren (6T-SRAM) hervor: Die sei mit 0,0588 Quadratmikrometern (µm²) kleiner als bei Samsung mit 0,0645 µm². Dabei bezieht sich Intel auf eigene Veröffentlichungen von Samsung. Die kommende 16-nm-Technik von TSMC ist nach deren Angaben abermals gröber.

Die absoluten Dimensionen der FinFETs sind zwar wichtige Kriterien zum Vergleich unterschiedlicher Fertigungsverfahren, allerdings beeinflussen noch viele weitere Parameter die letztlich von einem komplizierten Halbleiterbaulement erreichbare Leistungsfähigkeit und Effizienz. Außerdem bestehen beispielsweise Prozessoren aus unterschiedlichen Transistortypen, von denen nicht alle die minimal möglichen Dimensionen aufweisen.

Die 14-nm-Technik von Samsung bietet auch Globalfoundries seinen Kunden an. Bisher sind noch keine fertigen Geräte mit 14-nm-Chips von Samsung oder 16-nm-Chips aus der Fertigung von TSMC im Handel, während man Notebooks und Mini-PCs mit Intels 14-nm-Broadwell-Prozessoren seit einiger Zeit kaufen kann.

Auch den 14-nm-Atom Cherry Trail für Tablets liefert Intel nach eigenen Angaben schon aus. Die erste Generation der kommenden SoFIA-Chips mit x86-Technik für billige Android-Handys lässt Intel allerdings wohl von TSMC fertigen, vermutlich mit 28-nm-Technik. (ciw)