Flash Memory Summit 2016: 3D XPoint, 3D-Flash und NVMe
Kommende Woche findet in den USA der Flash Memory Summit statt, das jährliche Treffen der Flash-Speicherbranche. Die heißesten Themen sind Intels 3D XPoint, 3D-Flash und PCIe-SSDs.
Ob IMFlash, das Gespann aus Intel und Micron, in der kommenden Woche endlich einen funktionsfähigen Prototypen seines geheimnisumwobenen 3D-XPoint-Speichers zeigen wird? Laut einer geleakten Präsentation sollen noch in diesem Jahr zwei "Optane"-SSDs mit 3D XPoint statt Flash erscheinen – da wäre es langsam mal Zeit für eine konkrete Ankündigung. Zuerst soll angeblich eine M.2-SSD mit PCIe-3.0-x2-Anbindung auf den Markt kommen, danach eine Server-SSD, die über vier schnelle PCIe-Leitungen mit dem Rechner kommuniziert. Noch aber ist nicht klar, ob IMFlash die im Januar eingeräumten Schwierigkeiten bei der Großserienproduktion des PCM-Speichers in den Griff bekommen hat.
Samsung bald vor Intel?
Sicherer sind Ankündigungen zu weiteren Fortschritten bei 3D-NAND-Speicher. Das Gespann WD/Toshiba ( ehemals SanDisk/Toshiba) hat vor wenigen Tagen angekündigt, 3D-TLC-Flash mit 64 Lagen bauen zu wollen – die Markteinführung dürfte jedoch erst im kommenden Jahr folgen. Samsung könnte da vielleicht noch schneller sein, immerhin bauen die Koreaner 3D-NAND mit 48 Lagen bereits seit Mitte des vergangenen Jahres.
Apropos Samsung: Das Unternehmen wird auf dem Flash Memory Summit gleich 14 sogenannte Breakout-Sessions veranstalten, bei denen es vor allem um 3D-NAND geht. Intel muss aufpassen, dass die Koreaner das Unternehmen nicht vom Thron als Halbleiter-Marktführer stürzen. Nicht nur bei Flash sind die Koreaner derzeit weiter, auch an einem Flash-Nachfolger arbeiten die Samsung-Entwickler bereits.
Vielleicht gibt es auch Neuigkeiten zu ReRAM beziehungsweise RRAM: Mehrere Firmen arbeiten hieran schon seit Jahren, bisher gibt es hiervon aber nur Chips mit relativ kleiner Kapazität.
Von Rechenzentrum bis Embedded Systems
3D XPoint oder andere kommende Speichertechniken werden das traditionelle NAND aber keinesfalls schnell ablösen. Mehrere Dutzend Hersteller werden auf der dem Kongress angeschlossenen Messe Produkte mit NAND-Flash zeigen, vor allem aus für Server und Storage-Systeme. Hier stehen schnelle SSDs mit PCIe und NVMe im Vordergrund, dazu PCIe-Switches und Flash-Arrays.
Für den Einsatz als Storage-Class Memory (SCM) – das erwartet man 2017 auch mit 3D XPoint in Intels Skylake-Xeon-Plattform Purley – könnten innovative NVDIMMs erscheinen; Diablo Technologies ist schon mit den Memory1-DIMMs vorgeprescht, die 128 oder gar 256 GByte Flash als Ersatz für teureres DRAM bereitstellen. Bei Memory1 behält der Flash-Speicher die Daten bei Neustarts oder Stromausfall nicht, er arbeitet flüchtig, also ähnlich wie DRAM.
Auch der Embedded-Bereich ist präsent: So zeigt Toshiba etwa die erste NVMe-SSD mit Unterstützung für Host Memory Buffer (HMB), einem optionalen Teil der NVMe-1.2-Spezifikation. Solche SSDs arbeiten ohne eigenen DRAM-Cache, sie reservieren sich über den Treiber einen Teil des Arbeitsspeichers.
Der dreitägige Summit beginnt am Dienstag, 9. August im kalifornischen Santa Clara. Mehr als 100 Aussteller erwarten die Veranstalter, die Anzahl der Besucher lag im vergangenen Jahr bei 5000. heise online berichtet wie 2015 direkt von der Veranstaltung. (ll)
