Erste Test-Anlage für neue EUV-Lithografie läuft

EUV LLC, das Forschungkonsortium für Halbleiter-Produktionstechnik mittels extremem Ultraviolettlicht, hat eine Test-Anlage fertig gestellt.

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EUV LLC, das Forschungkonsortium zur Entwicklung von Halbleiter-Produktionstechnik mittels extremem Ultraviolettlicht (EUV), hat eine Anlage für Tests der neuen Technik fertig gestellt. Im Laufe des kommenden Jahres wollen die Industrie- und Forschungspartner mit diesem Engineering Test Stand (ETS) die Technik verfeinern und reif machen für den Bau erster Prototypen von Serien-Fertigungsgeräten.

Bereits im Januar hatte das Konsortium, das aus drei staatlich finanzierten US-Instituten des Departments of Energy (DOE) sowie den Industriepartnern AMD, IBM, Infineon, Intel, Micron und Motorola besteht, eine ähnlich lautende Erfolgsmeldung bekannt gegeben. Zwischenzeitlich verkündte Intel die Bereitstellung erster Masken für die EUV-Lithografie. Die Industriepartner von EUV LLC finanzieren das Projekt noch bis 2002, ab 2005 sollen die Verfahren marktreif sein.

Momentan findet ein weltweiter Wettlauf um die kommende Halbleiter-Lithografietechnik statt, mit der sich die zur weiteren Leistungssteigerung von Chips nötigen verkleinerten Strukturen herstellen lassen. Außer der 1997 von Intel, AMD und Motorola geründeten EUV-Initiative, die Strukturgrößen von unter 30 Nanometern zum Ziel hat, sind die 157-Nanometer-Lithografie für 100-nm-Strukturen sowie Elektronen- und Ionenstrahlverfahren im Rennen.

Die Koalitionen bei der sehr teuren und aufwendigen Forschung an neuen Lithografieverfahren wechseln: Infineon ist etwa an dem vom deutschen Forschungsminister geförderten 157-Nanometer-Projekt beteiligt, sprang aber im letzten Jahr auf den fahrenden EUV-Zug auf. Das tat in diesem Jahr auch IBM, nachdem das Unternehmen zuvor mit Nikon an EPL forschte.

Gegen alle erwähnte Verfahren erheben Kritiker Einwände, die von Zweifeln an der prinzipiellen Machbarkeit über wirtschaftliche Bedenken wegen der teuren Anlagen und bislang geringen Effektivität bis zu politischen Fragen reichen. Die für die EUV nötigen Laser- und Optotechnologien wurden maßgeblich von den DOE-Instituten entwickelt, die unter anderen für die Atomwaffenprogramme und andere militärische Entwicklungsziele der USA zuständig sind. Es gibt Einwände gegen die Verbreitung dieser Techniken in Drittstaaten unter sicherheits- und wirtschaftspolitischen Aspekten. Bereits der Beitritt von Infineon zur EUV LLC rief Kritiker auf den Plan. (ciw)