IDF: Flash-Speicherchips mit 90-Nanometer-Strukturen
Handys sollen schneller und noch leichter werden, so Intels Vizepräsident Sean Maloney.
Handys sollen schneller und noch leichter werden, erklärt Intels Vizepräsident Sean Maloney. Ein Schritt dorthin sind schnellere und kleinere Flash-Bausteine. Die von ihm jetzt vorgestellten 64-MBit-NOR-Flash-Chips sollen dank 90-Nanometer-Fertigungstechnik um 50 Prozent kleiner sein als ihre 130-nm-Vorgänger. Sie arbeiten noch mit Single-Bit-Speicherung (ein Bit pro Zelle). Später im Jahr sollen dann 256- und 512-MBit-Flashes mit Multilevel-Zellen (MLC) kommen, die zwei Bits pro Zelle abspeichern. Das 64-MBit-Flash soll 10,26 US-Dollar kosten (ab 10.000 Stück) und ist laut Intel der erste in 90-nm-Technik gefertigte NOR-Chip.
DRAM- und Flash-Marktführer Samsung hatte bereits vor rund eineinhalb Jahren die erfolgreiche Fertigung von NAND-Flash-Chips in 90-nm-Technik und mit bis zu 2 GBit Kapazität verkündet. Doch laut Samsung-Webseite sind die Chips bisher immer noch nur in Mustermengen zu haben.
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