MRAM: Industriekonsortium probiert es noch einmal
Um die seit Jahrzehnten entwickelten MRAM-Speicherchips, die magnetoresistive Effekte nutzen, war es in den letzten Jahren ruhig geworden: Nun stecken große Hersteller doch noch einmal Geld hinein.
(Bild: Everspin)
Zwar liefert Everspin, die ehemalige MRAM-Sparte von Freescale, seit Jahren MRAM-Speicherchips, doch die erreichen mit 16 Megabit beziehungsweise bald wohl 64 MBit gerade mal ein halbes Tausendstel dessen, was NAND-Flashes heute speichern. Und selbst SDRAM-Chips bringen es auf 8 GBit, also das 125-fache. Trotzdem verspricht ein Industriekonsortium unter Beteiligung mehrere Branchengrößen wie Micron, Renesas, dem Wafer-Hersteller Shin-Etsu und dem Materialspezialisten Tokyo Electron, bis Ende 2017 konkurrenzfähige MRAM-Chips zu entwickeln. Die Leitung des MRAM-Projekts soll laut der japanischen Publikation Nikkei Aisan Review Professor Tetsuo Endoh von der Tohoku University übernehmen, der auch im Center for Spintronics Integrated Systems mitarbeitet.
Ab 2018 könnte dann bei Micron die Serienfertigung von MRAMs anlaufen. Anders als DRAM-Zellen behalten MRAM-Zellen ihren Inhalt auch nach dem Abschalten der Stromversorgung. Falls MRAMs tatsächlich ähnliche Kapazität und Geschwindigkeit wie DRAM erreichen, versprechen sie vor allem für Mobilgeräte Vorteile. Ähnliches hoffen auch die Entwickler von ReRAM und Memristoren, die allerdings eher auf die Ablösung von NAND-Flash zielen.
Wer sonst noch im Rennen um MRAM mitmischt, ist zurzeit schwer einzuschätzen. So hatte etwa Grandis länger mit Renesas und Hynix kooperiert, war dann aber 2011 vom DRAM- und NAND-Flash-Marktführer Samsung geschluckt worden. Toshiba kooperiert mit TDK – wie zuvor schon IBM. Und Micron war 2011 mit dem A*Star Data Storage Intitute aus Singapur in eine MRAM-Kooperation eingetreten. Doch vor wenigen Wochen hat eine "IBM-Micron MRAM Alliance" in einem Fachjournal über ST-MRAM berichtet. (ciw)
