Verschärfter Wettbewerb bei Speicherchips
Während im vergangenen Jahr alle Hersteller von DRAM-Bausteinen gute Geschäfte verzeichneten, erwarten Marktforscher 2005 härtere Konkurrenz und Verschiebungen im Markt.
Während im vergangenen Jahr alle Hersteller von DRAM-Bausteinen gute Geschäfte verzeichneten, erwarten Marktforscher 2005 härtere Konkurrenz und Verschiebungen im Markt. Mit prognostizierten rund 30 Milliarden US-Dollar Umsatz umfasst der DRAM-Markt ungefähr ein Siebtel des erwarteten Gesamtvolumens des weltweiten Halbleitermarktes 2005 von 210 Milliarden US-Dollar. Etwa 75 Prozent des DRAM-Marktes sind fest im Griff der vier größten Anbieter Samsung, Hynix, Micron und Infineon, die im Geschäftsjahr 2004 alle daran gut verdienten und ihre Fertigungskapazitäten massiv ausweiten.
Doch im Vergleich zum Jahr 2003 hat sich eine Verschiebung in der Marktbedeutung ergeben, denn Hynix hat nach vorläufigen Schätzungen der iSuppli-Marktforscher Micron den zweiten Rang abgejagt. Wenn die iSuppli-Zahlen stimmen, steht Infineons Ex-Chef Ulrich Schumacher als Low Performer da -- schließlich verfolgte er das erklärte Ziel, Micron als weltweit zweitgrößten DRAM-Hersteller abzulösen.
Laut iSuppli hat dabei nicht einmal Hynix den dramatischsten Produktionsmengensprung geschafft, sondern die taiwanische Powerchip Semiconductor -- das Unternehmen dürfte nun nach der japanischen Elpida den weltweiten Rang 6 belegen, gefolgt von Infineon-Partner ProMOS und Nanya. Schließlich folgen weitere taiwanische Firmen wie Winbond, Elite und Mosel Vitelic.
Mit Hynix als neuer Nummer zwei und dem unangefochtenen DRAM-Marktführer Samsung erzielen koreanische Unternehmen mehr als 40 Prozent des weltweiten DRAM-Umsatzes.
Die taiwanische Digitimes meldet unterdessen in Bezug auf ungenannte Quellen, dass nun auch Hynix in den Flash-Speicherchip-Markt einsteigen wolle -- angeblich will das Unternehmen ab dem zweiten Halbjahr 90-nm-Flash-Chips, möglicherweise mit 1 GBit Kapazität, produzieren. Während Samsung schon seit Jahren Flash-Produkte herstellt und bei NAND-Flash ebenfalls Marktführer ist, sind die DRAM-Spezialisten Infineon und Micron erst in den letzten Jahren dieser Diversifizierungsstrategie gefolgt.
Nach den Angaben von Digitimes erreicht Hynix übrigens beim 0,11-Mikrometer-DRAM-Fertigungsprozess auf 300-mm-Wafern zurzeit eine Ausbeute ("yield") von über 95 Prozent. Infineon hatte auf einer Präsentation in den USA im Dezember 2004 eine Ausbeute von 93,9 Prozent bei der Herstellung von 256-MBit-Chips mit 110-Nanometer-Strukturen genannt (PDF-Dokument hier). Angesichts der weltweit sehr schnell wachsenden DRAM-Produktionskapazität und wegen der wohl sinkenden Preise ist ein dramatischer Margenverfall zu erwarten -- die Erträge der Chipfirmen hängen deshalb entscheidend von der hohen Produktionsausbeute ab. (ciw)
