Micrel mit neuer Silizium-Germanium-Halbleiterfertigung
Die kalifornische Halbleiterfirma kündigt einen Silizium-Germanium-Prozess für 0,6-µm-Strukturen an. Damit gefertigte Halbleiter sollen sich für die 10-GBit-Kommunikation eignen.
Die kalifornische Halbleiterfirma Micrel kündigt einen neuen Silizium-Germanium-Herstellungsprozess für 0,6-µm-Strukturen an. Damit gefertigte Halbleiter sollen sich für die 10-GBit-Kommunikation eignen. Erstes Produkt der neuen GigaPro-Baureihe soll der differenzielle 10-GBit-Buffer/Receiver SY58016 werden, der ab Dezember in die Produktion gehe, hieß es bei dem Unternehmen.
Wegen der viel höheren Ladungsträgerbeweglichkeit eignet sich Germanium (Ge) besonders für Hochfrequenzbauelemente, die wiederum in der Breitband-Kommunikationstechnik zum Einsatz kommen. Mischprozesse, die die Verarbeitung von Silizium (Si) und Germanium auf einem Wafer zulassen, ermöglichen die Integration von Logik- und Hochfrequenzschaltungsteilen auf einem Chip.
Es gibt allerdings sehr unterschiedliche SiGe-Verfahren. Motorola und das Frankfurter IHP entwickelten beispielsweise einen weiter optimierten Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Prozess. Dieses SiGe:C-Verfahren soll das geplante Communicant-Halbleiterwerk in Frankfurt/Oder mit nur 0,18 µm kleinen Strukturen umsetzen. Auch IBM bietet einen SiGe-Prozess an, ebenso wie Atmel. An Verbesserungen der SiGe-Prozesse wird rege geforscht, andere Bestrebungen dienen dazu, auch für kleinere Entwicklerfirmen die Herstellung solcher Chips billiger zu machen.
Für bestimmte Hochfrequenzanwendungen und schnelle Logischaltungen eignet sich auch der III-V-Halbleiter Gallium-Arsenid. GaAs lässt sich künftig wahrscheinlich ebenfalls in Kombination mit Silizium einsetzen. (ciw)
