Auch Elpida fertigt bald 1-GBit-Speicherchips

Das japanische Jointventure kündigt die erfolgreiche Vorserien-Fertigung von 1-GBit-DRAM-Bausteinen mit DDR2-Schnittstelle an.

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Das japanische Jointventure Elpida kündigt die erfolgreiche Vorserien-Fertigung von 1-GBit-DRAM-Bausteinen mit DDR2-Schnittstelle an. Erste Kunden sollen bereits im November Muster dieser in einem 0,10-Mikrometer-Prozess hergestellten Chips bekommen.

Sowohl Samsung Electronics, wo nach eigenen Angaben bereits seit Juli 1-GBit-(DDR-)Chips mit 100-Nanometer-Strukturen auf 300-mm-Wafern in Serie vom Band laufen, als auch Hynix und Infineon haben bereits 1-GBit-Prototypen nach den DDR- und DDR2-Normen der JEDEC gebaut und wollen spätestens im Frühjahr 2004 mit der Serienfertigung starten. Sämtliche Hersteller zielen damit auf hochkapazitive Speichermodule vor allem für Server (Registered-ECC-DIMMs aus 36 1-GBit-Chips erreichen 4 GByte pro Modul) und Notebooks (acht Chips reichen für ein 1-GByte-SO-DIMM), aber auch immer mehr Chipsätze für Desktop-Rechner vertragen ungepufferte 2-GByte-Riegel aus sechzehn GBit-SDRAMs.

Elpida hebt einige Besonderheiten der eigenen Produkte hervor. So sei die Ausbeute bereits beim First Silicon sehr gut gewesen, was auf effiziente Serienproduktion schließen lasse. Die Chips seien für 266 MHz (DDR2-533 für PC2-4300-Module) geeignet und schließlich ließe sich die Produktion ganz nach Bedarf leicht zwischen DDR- und DDR2-Bauteilen umstellen.

Infineon hatte verkündet, dank der besonderen Trench-Speicherzellen den 1-GBit-Chip mit der kleinsten Fläche herzustellen. Samsung kündigt unterdessen bereits Flash-Speicherchips mit 70-Nanometer-Strukturen und 4 Gigabit Kapazität an. Nach 256 MBit in 1999, 512 MBit in 2000, 1 GBit in 2001 und 2 GBit in 2002 habe man damit alle zwölf Monate die Kapazität seiner NAND-Flash-Chips verdoppeln können.

Beim DRAM arbeitet Samsung neben der Strukturverkleinerung auf 80 Nanometer auch an dreidimensionalen Transistoren. Ein widerstandsarmes Wolfram-Gate und ein High-k-Oxid machen die Transistoren fit für 1,5 Volt Betriebsspannung, die mit dem DDR3-Standard kommen sollen. Ein konkretes Einführungsdatum nannte Samsung nicht; bekanntlich kann der Weg vom Prototyp zur Serienreife lange dauern.

Microsoft hat unterdessen in seiner Support-Datenbank einen Hinweis auf das 2004 erwartete Windows XP Professional für AMD64-Prozessoren gegeben: Es soll bis zu 16 GByte RAM unterstützen. 32-Bit-Windows-XP schafft nur 4 Gigabyte, von denen ein Anwendungsprozess höchstens zwei belegen kann. (ciw)