Infineon sichert sich Produktionskapazität für Speicherchips

Infineon hat sich bei den taiwanischen Speicherherstellern Winbond und Mosel Vitelic zusätzliche Fertigungskapazitäten gesichert. Insgesamt geht es um monatlich zusätzlich 20.000 Wafer, auf denen Speicherchips in dem von IBM und Infineon gemeinsam entwickelten Trench-Zellen-Verfahren hergestellt werden sollen.

Infineon betreibt schon seit 1996 das Jointventure ProMOS gemeinsam mit Mosel Vitelic. Mit Wirkung zum 1. März 2002 erhöht Infineon seinen Anteil an der ProMOS-Fertigung von 38 auf 48 Prozent. ProMOS ist bereits für die von Infineon im letzten Herbst eingeführte 0,14-µm-Prozesstechnik zertifiziert, auch die Einführung der Fertigung auf 300-mm-Wafern steht auf dem Plan.

Mit Winbond haben die Münchner zunächst ein unverbindliches Memorandum zur Lizenzierung des kommenden 0,11-µm-Prozesses und der DRAM-Trench-Zellen unterzeichnet. Nach Implementierung dieser Techniken in der Winbond-Fertigung in Hsinchu/Taiwan wird Infineon ab 2003 die dort hergestellten DRAMs exklusiv abnehmen. Zunächst stehen 256-MBit-Bausteine auf dem Fertigungsplan, später sollen 512-MBit-Chips folgen. Bisher fertigt Winbond Speicherchips nach Verfahren des japanischen Konzerns Toshiba.

Mit IBM gemeinsam betreibt Infineon das Jointventure Altis Semiconductor im französischen Corbeil-Essones, hier laufen ebenfalls Speicherbausteine vom Band. Eine weitere Kooperation besteht mit UMC zum Aufbau einer 300-mm-Fab in Singapur. An der 0,13- und 0,10-µm-Prozess arbeiten IBM, Infineon und UMC gemeinsam. IBM bietet den 0,11-µm-Prozess mit Kupfermetallisierung als Blue Logic Cu-11 bereits an. Infineon kooperiert aber auch bei der zukünftigen MRAM-Technik mit IBM. Mit Toshiba basteln die Münchner an FeRAM. (ciw)