Samsung bemustert NAND-Flash-Speicherchips mit 16 GBit Kapazität

Samsung Electronics, Weltmarktführer bei den NAND-Flash-Speicherchips, liefert erste Muster eines 16-GBit-Bausteins mit 50-Nanometer-Strukturen an Entwickler aus. Die Massenfertigung des neuen Bauelements soll noch im ersten Quartal 2007 anlaufen. Damit verdoppelt Samsung wieder die maximale Speicherkapazität pro Chip innerhalb eines Jahres.

Der neue NAND-Flash-Chip speichert wie sein 8-GBit-Vorgänger mehrere Informations-Bits pro Zelle (Multi-Level Cell, MLC) und arbeitet mit einer Blockgröße von 4 KByte statt der zuvor bei MLC-Flashes üblichen 2 KByte; diese größere Page Size soll auch die Datentransferrate steigern. Wichtig ist aber vor allem die höhere Kapazität des Chips, der potenziell die Herstellung von Speicherkarten mit bis zu 32 GByte Kapazität ermöglicht. Dabei kommen Dual- oder Multi-Die-Gehäuse (Dual-Die-Package, DDP/Multi-Chip-Package, MCP) zum Einsatz. Für eine 32-GByte-Karte sind 16 Flash-Dice mit jeweils 16 GBit – also 2 GByte – Kapazität nötig.

Samsung erwartet einen NAND-Flash-Nachfrageschub auch durch mobile Musik- und Videoplayer mit größerem Speicher und kommende Hybrid-Festplatten oder SSDs. Marktbeobachter gehen zudem davon aus, dass die ReadyBoost-Technik von Windows Vista den Absatz von (schnellen) USB-Speicherstäbchen (USB Flash Devices, UFD) stark ankurbelt.

Die MLC-Flash-Bauelemente sind auf der Samsung-Webseite bisher leider nicht zu finden, sondern nur die Single-Level-Cell- (SLC-)Chips; das überrascht, weil die MLC-Chips (wie der 8-GBit-Chip) bei Samsung nach eigenen Angaben bereits im vierten Quartal 2006 einen Anteil von 75 Prozent an der gesamten NAND-Flash-Produktion hatten. (ciw)