Infineon und Nanya erweitern ihre Entwicklungskooperation
Die ehemalige Siemens-Halbleiter-Sparte und der taiwanische DRAM-Hersteller wollen Fertigungsverfahren fĂĽr noch kleinere Strukturen gemeinsam entwickeln.
Die bereits eng zusammenarbeitenden Halbleiter-Hersteller Infineon und Nanya bauen ihre Kooperation weiter aus, indem sie nun auch den 60-Nanometer-Herstellungsprozess gemeinsam entwickeln. Bisher haben sie schon bei den aktuellen 90-Nanometer-DRAM-Chips und den kommenden 70-Nanometer-Prozessen gemeinsame Sache gemacht. Grundlegende Verfahren der von Infineon für DRAMs genutzten Trench-Zelle stammen aus einer langjährigen Kooperation mit IBM (und Toshiba).
Die Kooperation zwischen Infineon und der Formosa-Plastics-Konzerntochter Nanya besteht nicht nur bei der Entwicklung, sondern sie betreiben gemeinsam auch die Firma Inotera Memories, die auf hochmodernen Anlagen 300-mm-Wafer zu DRAMs verarbeitet und ab Oktober an die Börse soll. Mit einer aktuellen Produktionskapazität von über 60.000 Waferstarts pro Monat hat Inotera weltweit eine der größten Halbleiterfertigungen.
Mehr als 100 Mitarbeiter von Infineon und Nanya sollen an der 60-nm-Entwicklung arbeiten. Die ersten Speicherprodukte mit den weiter verkleinerten Strukturen sollen voraussichtlich 2008 auf 300-mm-Wafern produziert werden. (ciw)
