IDF: Schnelle NOR-Flash-Speicherchips mit 512 MBit Kapazität

Intel will nichtflüchtige Speicherchips für Handys, PDA und Embedded-Systeme dank 90-Nanometer-Technik und Multi-Level-Zellen auf größere Kapazität und höhere Geschwindigkeit bringen.

10

03.03.2005, 12:42 Uhr

Lesezeit: 2 Min.

Von

Christof Windeck

Nichtflüchtige Speicherchips für Handys, PDA und Embedded-Systeme will Intel dank 90-Nanometer-Technik und Multi-Level-Zellen auf größere Kapazität und höhere Geschwindigkeit bringen. Darin Billerbeck, Chef der Intel-Sparte für Flash-Chips, betont genüsslich, man habe "2004 mit der NOR-Flash-Produktfamilie im Markt für nichtflüchtigen Speicher wieder an Schlagkraft gewonnen" und sich "für 2005 ehrgeizige Ziele gesetzt". Dabei hat er offenbar seinen im NOR-Flash-Markt wichtigsten Konkurrenten AMD im Blick. Dessen Speicher-Sparte Spansion feierte vor acht Monaten noch die Marktführerschaft, um dann am Ende des Jahres 2004 mit 39 Millionen US-Dollar Verlust dazustehen. Intel konnte unterdessen seine Flash-Umsätze gewaltig steigern -- wenngleich die Communications Group, zu der die Flash-Chips zählen, seit Jahren defizitär bleibt.

Mit der neuesten 90-Nanometer-Generation Sibley der StrataFlash-Bausteine, wie Intel seine Multi-Level-Cell- (MLC-)NOR-Flash-Chips nennt, will das Unternehmen noch mehr Umsätze im Handy- und PDA-Segment anziehen -- dazu soll auch eine überarbeitete Version (Naubinway) der Entwickler-Software für Flash-Produkte beitragen. Die Sixmile-Chips sollen bis zu 512 MBit Kapazität (64 MByte) erreichen, ihre Schnittstelle arbeitet mit Frequenzen von bis zu 108 MHz und verspricht Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 500 KByte/s. Außerdem unterstützen sie verschiedene Typen von RAM-Interfaces, was Entwicklern die Anpassung ihrer Schaltungen erleichtern soll. Für den Embedded-Markt plant Intel mit Sixmile preiswertere Flash-Chips. Die 512-MBit-Chips hatte Intel schon vor einem Jahr angekündigt.

AMD fertigt seine MirrorBit-NOR-Chips in einem 100-nm-Prozess und erreicht bei 3 Volt Betriebsspannung ebenfalls bis zu 512 MBit Kapazität. In nächster Zeit ist auch ein 1,8-Volt-Baustein mit dieser Größe geplant. NAND-Flash-Chips erreichen mittlerweile 2 GBit, 8-GBit-Versionen mit 70-nm-Strukturen wollen Toshiba und SanDisk noch in diesem Jahr produzieren.

Zum Intel Developer Forum siehe auch: